Влияние - примесный атом - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Некоторые люди полагают, что они мыслят, в то время как они просто переупорядочивают свои предрассудки. (С. Джонсон). Законы Мерфи (еще...)

Влияние - примесный атом

Cтраница 1


Влияние примесных атомов, находящихся в твердом растворе или в виде выделений, будет учитываться лишь постольку, поскольку они могут тормозить движение границ зерен.  [1]

Влияние примесных атомов III или V групп периодической системы на физические свойства основной решетки будут рассмотрены ниже в связи с образованием твердых растворов между соединениями АШВУ.  [2]

Можно оценить влияние примесных атомов: каждый из них для фононов представляет собой дополнительный центр рассеяния с площадью поперечного сечения ра2, где а - постоянная решетки.  [3]

Для оценки влияния примесных атомов на электропроводность полупроводника необходимо определить изменение полной потенциальной энергии системы при переходе одного электрона с примесного уровня в зону проводимости. Ниже мы не пойдем по этому пути, а просто покажем, что энергия акти-вации донорных примесей не может быть большой отрицательной величиной.  [4]

Установлено, что влияние примесных атомов имеет осциллирующий характер: атомы, находящиеся в третьей и шестой координационных сферах, увеличивают Яэфф на ядрах центрального атома железа. Последнее связывается с осцилляциями спиновой плотности электронов проводимости.  [5]

Классификация этих ситуаций возможна по характеру влияния примесных атомов на движущие силы фундаментальных процессов. Детали такого влияния меняются, конечно, в зависимости от конкретной ситуации. Если, например, в процессе зерногранич-ной миграции частицы выделяются исключительно на границах, то суммарная движущая сила имеет химическую природу ( см. гл. Однако если метастабильная фаза выделяется перед движущейся границей, то ситуация усложняется.  [6]

7 Изотермы концентраций свободных электронов и дырок в сульфиде свинца как функция pS2 для температур отжига 1000, 1100, 1200, 1223 К ( по данным работы. [7]

Данные о константах равновесия можно получить также на основании изучения влияния примесных атомов ( см. гл.  [8]

9 Растворимость доноров или акцепторов в кристалле MX как функция доноры и акцепторы располагаются в узлах М или X. а - донор в узле М. KI K. S Ч - Bi. б - донор в узле X. К Ks ( PbS С1. в - акцептор в узле М. К Ks. [9]

В общем можно сделать вывод, что растворимость атомов примеси увеличивается с увеличением рХз ( или уменьшается с увеличением рм), если они занимают узлы М, и меняется противоположным образом, если они занимают узлы X - независимо от того, действует ли примесный атом как донор или как акцептор ( или независимо от соотношения величин / Ci и Ks) - Однако характер влияния примесных атомов на концентрацию заряженных собственных дефектов, несомненно, зависит от указанных свойств. Доноры вызывают увеличение концентрации отрицательно заряженных, а акцепторы - положительно заряженных собственных дефектов.  [10]

Влияние примесных атомов на свойства твердого тела в основном очень сходно с влиянием тех же примесей, вносимых химическим путем. В сколько-нибудь заметном количестве они могут образоваться только под действием тепловых нейтронов; однако в этом случае, если облученное вещество не содержит элементов с большим поперечным сечением, подобных В10 или Li6, концентрация их незначительна.  [11]

12 Влияние постоянной концентрации примесных доноров или акцепторов ( F на концентрацию собственных дефектов в германии. Сплошные линии и символы над прямой, не заключенные в круглые скобки, относятся к случаю, когда F донор. штрих-пунктирные линии и сплошные линии с расположенными над ними символами в круглых скобках относятся к случаю, когда F - акцептор. пунктирные линии обозначают концентрацию дефектов при отсутствии примеси ( и выше температуры плавления Т [. [12]

Из рисунка виден характер изменения концентрации заряженных вакансий в области, где примесные атомы определяют условие нейтральности: уменьшение концентрации в случае доноров и увеличение ее в случае акцепторов. Особенно велико влияние примесных атомов на концентрацию дважды заряженных вакансий.  [13]

14 Образование свободного электрона и неподвижного положительного заряда в примесном полупроводнике до-норного типа. [14]

На рис. 2.9 приводятся потенциальные диаграммы для примесных полупроводников донорного и акцепторного типов. Донорные и акцепторные примеси образуют локальные уровни, они лежат в запрещенной зоне, где влиянием соседних примесных атомов можно пренебречь. Уровни донороЕ, находятся около дна зоны проводимости и соответствуют расстоянию потенциального барьера Дф3 - 0 01 В. Уровни акцепторов находятся у потолка валентной зоны, их потенциальный барьер Дф3 0 01 В.  [15]



Страницы:      1    2