Влияние - примесный атом
Cтраница 2
 |
Солнечная паис-ль, состоящая из 20 интегральных модулей ( а и размещение солнечных панелей на основе a - Si на крыше и окружающих карнизах ( б. [16] |
Рассмотрены последние достижения в области разработки солнечных элементов на основе аморфного кремния, изготовленных на подложке из нержавеющей стали. Обсуждаются вопросы захвата легирующего элемента в / - слое р - / - я-структуры и в частности влияния примесных атомов бора ( - 10 7 см 3) на перенос носителей и характеристики элементов. Показано, что слой микрокристаллического легированного фосфором гидрогенизированного кремния со стороны окна существенно улучшает параметры солнечного элемента за счет уменьшения коэффициентов поглощения и отражения. Обсуждаются характеристики солнечных батарей большой площади в сочетании с вопросами оптимизации конструкционных параметров расположения элементов. Кратко затронуты также вопросы изучения модульных структур и стабильности солнечных элементов на основе аморфного кремния. [17]
Модель групповых переходов Мотта первоначально была предложена для объяснения высоких значений энергий активации, полученных в то время. Между тем было показано, что эти значения ( найденные на металлах обычной чистоты) можно объяснить влиянием примесных атомов i [ ll 151, поэтому конкретная модель групповых переходов Мотта в настоящее время уже не обсуждается. [18]
Fzz и е не равны нулю, если ядро находится в положении с некубической симметрией; следовательно, квадрупольное расщепление позволяет судить либо о симметрии собственного электронного распределения в кристалле, либо о ее нарушении под влиянием примесных атомов и других дефектов. [20]
С другой стороны, известно, что концентрация дефектов зависит от состава и условий синтеза. Поэтому следует ожидать, что диффузия также будет зависеть от этих факторов. Влияние примесных атомов переменной валентности изучено достаточно подробно. В качестве примера можно указать систему AgCl CdCl2, где внедрение кадмия в определенной концентрации способствует образованию одинаковой концентрации металлических вакансий и, таким образом, благоприятствует диффузии ионов серебра ( Кох и Вагнер, см. разд. Подобные эффекты могут возникать и в твердых телах, состоящих из чистых элементов. [21]
У полупроводника чем выше отношение подвижности электронов к фононной части теплопроводности, тем больше он подходит для термоэлементов. Можно оценить влияние примесных атомов: каждый из них для фононов представляет собой дополнительный центр рассеяния с площадью поперечного сечения ра2, где а - постоянная решетки. [22]
В ряде работ высказана точка зрения, что атомы Ga [40], В [41] и Р [42], диффундирующие в кремнии, ведут себя аналогичным образом. Однако правильность этого предположения вызывает сомнение. Возможно, что в этом случае картина осложняется тем, что эти атомы диффундируют не по междоузлиям, а через узлы решетки по механизму вакансий. Поскольку концентрация примесных атомов мала по сравнению с / Cj 2, концентрация атомов F не влияет на концентрацию вакансий ( см. разд. В таком случае, как было уже показано, отсутствует и амбиполярная диффузия. Однако, когда [ F ] К 2, примесные атомы F будут увеличивать или уменьшать концентрацию вакансий в зависимости от того, являются ли они соответственно донорами или акцепторами. Влияние примесных атомов на концентрацию вакансий необходимо учитывать при объяснении диффузии. [23]
Страницы: 1 2