Влияние - напряженность
Cтраница 1
 |
Зависимость собственного времени срабатывания устройства. [1] |
Влияние напряженности Я внешнего магнитного поля на процесс возбуждения разряда между силовыми электродами также имеет свои особенности. Под действием магнитного поля канал инициирующего разряда удлиняется и перекрывает промежуток между силовыми электродами. Однако этот эффект проявляется по-разному в зависимости от вышеуказанных зазоров в узле поджига. [2]
Влияние напряженности магнитного поля на скорость осаждения 12 % - ной суспензии каолина, приготовленной на дистиллированной воде, показано на рис. 35, из которого видно, что устойчивость суспензии повышается при увеличении напряженности магнитного поля. Эффект обработки существенно уменьшается при повышении концентрации твердой фазы и при осаждении каолиновой суспензии концентрацией более 20 % практически не обнаруживается. [3]
Влияние напряженности магнитного поля на эффект магнитной обработки по уменьшению наводороживания стали имеет полиэкстремальную зависимость. [4]
Исследовано влияние напряженности электростатическогс-поля скорости движения порошка в трубе, его крупности и времени работы на производительность установки. [5]
Исследовано влияние напряженности электростатического поля скорости движения порошка в трубе, его крупности и времени работы на производительность установки. [6]
 |
Рост проростков кукурузы при различных температурах. [7] |
Изучение влияния напряженности факторов на отдельные функции растения показывает, что иногда оптимальная напряженность фактора не может быть оптимальной для организма растения в целом. Из этого следует, что оптимум отдельных функций не обязательно совпадает с оптимальной для организма в целом напряженностью фактора. Кроме того, оптимальные напряженности факторов часто не совпадают друг с другом. Например, оптимумы для фотосинтеза и дыхания обычно характеризуются различными температурами. Чем же определяется оптимальное состояние организма растения в целом. [8]
Под влиянием напряженности электрического поля падающей на атом световой волны электроны приобретают колебательное движение с частотой волны и сами становятся источником вторичного излучения, называемого рассеянным. [9]
Рассмотрим подробнее влияние напряженности внешнего электрического поля на размеры и сопротивление контактного слоя. Нел и вектор Е направлен от металла к полупроводнику ( металл соединен с положительным юл юсом источника тока, а полупроводник с отрицательным), го электроны нгягш-акпся из объема полупроводника в контакт 1ый слой, что приводит к уменьшению его толщины Л и увеличению проводимости. В этом направлении, называемом пропускным, электрический ток может проходить через контакт металла с полупроводником. Ксди же вектор Е направлен от полупроводника к металлу, то электроны пытсснякп ся из двойного слон в глубь полупроводника, увеличивая толщину запирающего слоя и его сопротивление. Таким образом, контакт металла с полупроводником обладает txhtocropDHHt ti проводимостью и выпрямляет переменные токи. [10]
Рассмотрим подробнее влияние напряженности внешнего электрического поля на размеры и сопротивление контактного слоя. [11]
В исследовании Б. Я. Шведина показывается отсроченное влияние напряженности. [12]
 |
Влияние кристаллического поля октаэдрической симметрии ( б и в, образованного шестью лигандами, на пятикратно вырожденный уровень, отвечающий d - состояниям свободного атома ( а. [13] |
На рис. 10.5 показано влияние напряженности электростатического поля на расщепление между уровнями Е и Т2 в си стеме dl этот график представляет собой самую простую из так называемых диаграмм Оргела, которые изображают непрерывный переход от атомных состояний к состояниям комплексного иона. Как видно из рис. 10.5, для спектроскопических применений важное значение имеет разность энергий, соответствующих новым термам. [14]
 |
Влияние кристаллического поля октаэдрической симметрии ( бив, образованного шестью лигандами, на пятикратно вырожденный уровень, отвечающий d - состояниям свободного атома ( а. [15] |
Страницы: 1 2 3 4