Влияние - напряженность
Cтраница 2
На рис. 10.5 показано влияние напряженности электростатического поля на расщепление между уровнями Е и Т2 в си стеме d1, этот график представляет собой самую простую из так называемых диаграмм Оргела, которые изображают непрерывный переход от атомных состояний к состояниям комплексного иона. Как видно из рис. 10.5, для спектроскопических применений важное значение имеет разность энергий, соответствующих новым термам. [16]
 |
Вес накипи в зависимости от чениях коэффициента про. [17] |
Приведенные данные достаточно наглядно иллюстрируют влияние напряженности поверхности нагрева. Поэтому при сравнении накипеобразования в различных условиях этот фактор следует учитывать как один из важнейших. [18]
Ниже излагается сравнительно простая полуэмпирическая теория, позволяющая учитывать влияние напряженности и направления магнитного поля на пульсационные составляющие скорости потока, что в свою очередь сказывается на напряжении трения и профиле осредненной скорости. [19]
Ряд циклических эпоксидов 14 - 20 интересен с точки зрения влияния напряженности цикла на параметр Av. Полученные результаты согласуются с положением о том, что в циклических эпоксидах [4] по мере повышения углового напряжения в ряду 141516 понижается основность кислорода. Сравнение соединений 16, 17, 18 показывает, что наличие в последнем двух эпоксидных групп, по-видимому, изменяет геометрию цикла, что приводит к существенному падению донорных свойств. [20]
Для проектирования установок магнитной обработки, воздействующих на процесс солеотложения, необходимо иметь информацию о влиянии напряженности магнитного поля, времени обработки, температуры, способа обработки водной среды и других параметров. [21]
 |
Семейство частных петель гистерезиса. [22] |
С точки зрения использования ферромагнитных сердечников в ЗУ значительный интерес представляет рассмотрение частных циклов перемагничивания под влиянием напряженности, меньшей, чем Нт сердечника, ранее подвергавшегося намагничиванию до насыщения. [23]
 |
Зависимость степени ионизации газа х от его температуры Т при различных потенциалах ионизации Ui. [24] |
В этом последнем случае энергия соударяющихся частиц была определена из условия ионизирующего воздействия высокой температуры газа при пренебрежении влиянием напряженности электрического поля. [25]
 |
Элементарная схема усилители с внутренней обратной связью.| Двухполупериодные схемы усилителя с внутренней обратной связью. [26] |
Одной из простейших является аппроксимация процесса перемаг-ничивания в виде прямоугольной петли гистерезиса ( рис. 8.44, а), позволяющей учесть влияние коэрцитивной напряженности на статические характеристики магнитного усилителя. [27]
Метод компенсации погрешности по знаку применяют для исключения систематических погрешностей, которые в зависимости от условий измерения могут входить в результат измерения с тем или иным знаком, например погрешности от термо - ЭДС, от влияния напряженности постоянного электрического или магнитного поля. В этом случае следует провести измерения дважды так, чтобы погрешность входила в результаты измерений один раз с одним знаком, а другой раз - с обратным. Среднее из результатов двух таких измерений будет свободно от систематической погрешности. [28]
Таким образом, регистрируя изменение интенсивности люминесценции, получаем картину распределения давления на поверхности пье-зоматериала. Влиянием напряженности электрического поля соседних кристаллитов на данную молекулу можно пренебречь, так как размеры молекул ( например, эритрозина, родамина и др.) находятся в пределах от 5 до 1 5 А, а минимальное расстояние между кристаллитами составляет порядка 1 мкм. Временное разрешение данного способа определяется размерами кристаллитов и скоростью распространения в них упругой волны. [29]
Эффект магнитной обработки растворов зависит от условий обработки, а наилучшие результаты получают при определенных оптимальных режимах. В табл. 11 показано влияние напряженности магнитного поля на прочность образцов гипса 7 X 7 X 7 см через 1 5 ч и 7 сут. [30]
Страницы: 1 2 3 4