Влияние - параметр - схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Существует три способа сделать что-нибудь: сделать самому, нанять кого-нибудь, или запретить своим детям делать это. Законы Мерфи (еще...)

Влияние - параметр - схема

Cтраница 1


1 Форма входного и выходного импульсов. [1]

Влияние параметров схемы и требований к форме импульса на параметры ИТ должно учитываться при разработке его конструкции. С другой стороны, уменьшение переднего фронта требует, чтобы ИТ конструировался с учетом высокой индукции магнитопровода и небольшого числа витков. Поэтому при конструировании ИТ должно быть найдено компромиссное решение, удовлетворяющее этим разноречивым требованиям.  [2]

3 Характеристики кремниевых стабилитронов и схемы их применения. а - схема стабилизатора напряжения при обратном включении стабилитрона. б - то же, при прямом включении стабилитрона. в - экспериментальные кривые зависимости дифференциальных сопротивлений стабилитронов от обратного тока. г - то же, в зависимости от прямого тока для стабилитронов и диодов. д - график зависимости обратного ТКН от обратного напряжения на стабилитроне. е - график зависимости прямого ТКН от прямого тока. [3]

Определим влияние параметров схемы ( рис. VIII.  [4]

5 Влияние самоиндукции на почернение спектральных линий элементов. / - Fe II 2756. 2 - Al I 3050. 3 - Мп II 2949. 4 - Mg II 2790. 5 - Al I 3057. 6 - Mg I 2852. 7 - Cu3274A. [5]

Изучение влияния параметров схемы искрового разряда показало, что максимальное почернение - искровых спектральных линий достигается при следующем режиме работы генератора ИГ-3. Напряжение 220 в, емкость конденсатора 0 01 - 0 02 мкф, ин-дуктивность 0 01 - 0 05 мгн, ток 2 - 3 а.  [6]

Для выяснения влияния параметров схемы на длительность генерируемых импульсов удобно воспользоваться тем обстоятельством, что ток намагничивания / во время формирования вершины импульса изменяется по линейному закону.  [7]

Полученные формулы позволяют сделать вывод о влиянии параметров схемы на ее электрические свойства.  [8]

Более существенный выигрыш может обеспечить широкое исследование влияния параметров схем на их переходные характеристики.  [9]

Рассматриваются физические процессы в элементах импульсных и цифровых устройств, влияние параметров схем на их основные характеристики, а также дается сравнительная оценка различных типов элементов. Приводятся примеры построения основных узлов, применяемых в импульсной и цифровой аппаратуре.  [10]

Выражение ( 7) позволяет не только делать выводы относительно влияния параметров схемы контрольной аппаратуры на точность контроля, но и производить числовые расчеты. Однако в работе Ван-дер - Зила [18] не приведено методов расчета входящих в формулу ( 7) величин. Ниже излагается методика расчета их, предлагаемая автором.  [11]

В книге рассматриваются физические процессы в элементах импульсных и цифровых устройств, анализируется влияние параметров схем на их основные характеристики, а также дается сравнительная оценка различных типов элементов. Приводятся примеры построения основных узлов, применяемых в импульсной и цифровой аппаратуре.  [12]

Установки позволяют последовать распределение энергетики взаимодействия резцов с породой по рабочей поверхности долот и влияние параметров схемы размещения резцов на их износ и в Фективнооть разрушения горной порода.  [13]

Если величины og и л соизмеримы, формулы ( 8 - 33) и ( 8 - 34) могут быть использованы только для качественного суждения о влиянии параметров схемы на длительность импульса.  [14]

Транзистор TI служит для уменьшения разности между порогами срабатывания и отпускания и увеличения чувствительности реле. Кроме того, транзистор 7 значительно уменьшает влияние параметров схемы на пороги срабатывания реле.  [15]



Страницы:      1    2