Влияние - паразитный параметр
Cтраница 4
 |
Схемы двойного Т - образного моста. а общая, б практическая. [46] |
Практическая схема двойного Т - образного моста, пригодная для измерения двухполюсника с активной проводимостью gx и реактивной Ьх, приведена на рис. 13.86. Измерение обычно производят методом замещения, который позволяет уменьшить влияние паразитных параметров на результат измерения. Процесс измерения состоит в следующем. Сначала уравновешивают схему без измеряемого двухполюсника. [47]
 |
Схемы Т - образных мостов. а общая, двойного Т - образного, б практическая, двойного Т - образного, в общая, перекрытого Т - образного, г практическая, перекрытого Т - образного. [48] |
Практическая схема двойного Т - образного моста, ригоднал для измерения двухполюсника с активной проводимостью gx и реактивной Ъх, приведена на рис. 12.86. Измерение обычно проводят способом замещения, который позволяет уменьшить влияние паразитных параметров на результат измерения. Процесс измерения состоит в следующем. [49]
В данном параграфе также рассматривается связь Y-параметров эквивалентного четырехполюсника с параметрами эквивалентной схемы замещения. Анализируется влияние паразитных параметров корпуса на F-параметры эквивалентного четырехполюсника. [50]
Электрический расчет трансформаторов усилительных и измерительных схем представляет собой довольно сложную задачу. Расчет должен учитывать влияние распределенных паразитных параметров трансформатора на ход частотной и фазовой характеристики каскада, а также частотную зависимость других параметров. Строгое решение этой задачи и невозможно, и непригодно для технических целей. Поэтому при анализе работы трансформатора неизбежны известная идеализация и упрощения задачи путем раздельного рассмотрения влияния отдельных факторов и пренебрежения второстепенными факторами. Так, например, распределенные паразитные параметры трансформатора заменяются сосредоточенными; причем в эквивалентную собственную емкость трансформатора входят как емкости собственно обмоток, так и междуобмоточные емкости, соответствующим образом приведенные к одной из обмоток. [51]
При налмчйн диодов в линии, как указывалось, сигнал отражается от места их подсоединения и искажается за счет наложения сигналов попутного потока. Кроме того, из-за влияния паразитных параметров диодов искажается форма сигналов, поступающих непосредственно на переходы. [52]
 |
Структурная схема F-метра. [53] |
Две последние формулы справедливы только на частотах, не превышающих 5 - 10 МГц. При измерениях на повышенных частотах сказывается влияние паразитных параметров как самого контура Q-метра, так и емкостного датчика. В этих случаях следует учитывать величину паразитных параметров и применять более совершенные методы измерения. [54]
 |
Структурная схема F-метра. [55] |
Две последние формулы справедливы только на частотах, не превышающих 5 - 10 МГц. При измерениях на повышенных частотах сказывается влияние паразитных параметров как самого контура Q-метра, так и емкостного датчика. В этих случаях следует учитывать величину паразитных параметров и применять более совершенные методы измерения. [56]
ГГц) благодаря тому, что преобразование осуществляется непосредственно на входе прибора. Амплитудный детектор конструктивно размещается в выносном пробнике, благодаря чему удается уменьшить влияние паразитных параметров вольтметра, вывести резонансную частоту входной цепи за пределы диапазона частоты вольтметра. [57]
В диапазоне СВЧ резко усугубляются трудности микроминиатюризации РЭА. Необходимо высокое быстродействие активных полупроводниковых приборов, наиболее сильно проявляются потери в диэлектриках и полупроводниковых материалах, концентрация полей в малых объемах, влияние паразитных параметров и паразитных связей. [58]
В реальном контуре может оказаться, что составляющая, обладающая малым коэффициентрм влияния, но сравнительно большой величиной at, имеет превалирующее значение среди других составляющих с большими коэффициенами влияния. Например, часто входные ( или выходные) емкости цепи ламп или транзисторов, имея малый коэффициент влияния на общую емкость колебательного контура, оказывают заметное влияние на стабильность его частоты, так как они обладают сравнительно большими значениями act - Подобная картина иногда наблюдается при влиянии паразитных параметров контуров на его частоту. [59]
Поскольку толщина активной области базы очень мала, время пролета неосновных носителей заряда через базу не является основным фактором, определяющим частотные свойства транзистора ИМС. Влияние паразитных параметров может быть уменьшено за счет максимально возможного уменьшения геометрических размеров транзистора, допускаемого разрешающей способностью процесса фотолитографии. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5