Влияние - кристаллическое поле
Cтраница 2
 |
Изменение энтальпии гидратации ( а и радиусов двухзарядных ионов ( б в ряду Са2 - Zn2. [16] |
Если бы не было влияния кристаллического поля, то радиусы ионов должны были бы монотонно уменьшаться по мере увеличения заряда ядра ( атомного номера элемента), что на рис. 215 показано пунктирной кривой. [17]
Если бы не было влияния кристаллического поля, то радиусы ионов должны были бы монотонно уменьшаться по мере увеличения заряда ядра ( порядкового номера элемента), что на рис. 211 показано пунктирной кривой. [18]
Рассмотрим теперь более подробно влияние кристаллического поля на d - орбитали. В теории кристаллического поля пренебрегают любым перекрыванием между орби-талями катиона и лигандов и рассматривают только действие электростатического возмущения на орбитали катиона. [19]
Если бы не было влияния кристаллического поля, то радиусы ионов должны были бы монотонно уменьшаться по мере увеличения заряда ядра ( порядкового номера элемента), что на рис. 71, о показано пунктирной кривой. [20]
Мы привели достаточно примеров влияния кристаллического поля на конформации молекул. Поэтому, если глубина потенциальной ямы превышает 2 - 3 ккал / моль, то молекула будет иметь близкие конформации во всех трех фазах - парах, жидкости и кристалле. [21]
В вопросе о соотношении влияния кристаллического поля решетки и координирования на снятие вырождения колебаний в настоящее время пока многое неясно. В соответствии с современными представлениями на ион действуют электростатические силы внешнего окружения ( собственно кристаллическое поле) и силовые поля внутри комплекса, обусловленные координацией иона. В случае донорно-акцепторного взаимодействия действие последних сил связано со степенью смещения иеподеленных пар электронов на орбитали металла. [22]
Поэтому такие переходы слабо подвержены влиянию кристаллического поля. Кроме того, эти переходы запрещены в приближении электродипольного взаимодействия. Поэтому время спонтанной релаксации попадает в миллисекунд-ный, а не в наносекундный диапазон, как в случае электроди-польно разрешенных переходов. Обе указанные выше особенности приводят к следующим важным последствиям для лазерной генерации. Во-первых, безызлучательные каналы релаксации довольно слабы. Поскольку для трехуровневого лазера ( такого, как рубин с ионами Сг3 или ионы Ег34 на переходе Х1 54 мкм) критическая скорость накачки М / ср равна 1 / т [ см. (5.40) ], величина Wcp оказывается достаточно малой, чтобы обеспечить лазерную генерацию. Для четырехуровневого лазера ( такого, как на ионах Nd3 или Но3) пороговая скорость накачки Wcp пропорциональна 1 / от - 1 / сгтспонт. Согласно (2.116) и (2.80), имеем 1 / отСпонт - Av0, a небольшая ширина лазерной линии опять же подразумевает низкие значения пороговой скорости накачки. [23]
Помимо замораживания момента, в вопросе о размере влияния кристаллического поля на величину ионного момента вызывает сомнение следующий факт: результаты нейтронографиче-ских исследований, полученные на DyAl2 [77], лучше всего интерпретируются в предположении, что наряду с ферромагнитной спиновой структурой существует еще слабое геликоидальное антиферромагнитное упорядочение. В последнем случае были сделаны попытки связать антиферромагнитный вклад со средней концентрацией валентных электронов. Эти результаты мы обсудим несколько позже. [24]
Уменьшение магнитных моментов в состоянии магнитной упорядоченности может объясняться влиянием кристаллического поля на электронную структуру парамагнитного иона урана и, по-видимому, более сложной магнитной структурой рассматриваемых соединений. [25]
К коэффициентам, разрешенным по симметрии свободной молекулы, под влиянием анизотропного статического кристаллического поля прибавляются коэффициенты меньшей величины; они растут с деформацией молекулы, а их наличие определяется позиционной симметрией. Одно из интересных следствий этого эффекта состоит в том, что неактивные типы колебаний свободной молекулы вследствие - снижения симметрии могут стать активными в кристалле. [26]
Различие в величине спин-орбитального взаимодействия с различными подуровнями, возникшими под влиянием кристаллического поля, может привести к нескольким разным расщеплениям линий. [28]
Энергия стабилизации кристаллическим полем - дополнительная энергия ионной связи, обусловленная влиянием кристаллического поля лигандов ( стр. [29]
Это состояние в первом приближении остается нерасщепленным в любом кристаллическом поле; влияние кристаллического поля проявляется лишь в более высоком приближении за счет вклада возбужденных состояний. [30]
Страницы: 1 2 3 4