Влияние - кристаллическое поле
Cтраница 3
Особое положение занимают ионы, находящиеся в S-состоянии, поскольку они наименее чувствительны к влиянию кристаллического поля. [31]
II изложена кристаллохимия ферримагнитных окислов, приведен подробный общий обзор кристаллических структур этих веществ, описано влияние кристаллического поля на энергетический спектр электронов и магнитные моменты ионов. [32]
Исключительные возможности: координации мономера и стабилизации переходного состояния в условиях жестко фиксированных групп поверхности и влияния кристаллического поля позволяют осуществлять полимеризацию строго специфически. В результате образуются высокомолекулярные и часто стереорегулярные полимеры. [33]
В более новых представлениях исходят из того, что электронные зоны образуются при перекрывании орбиталей, которые под влиянием окружающего кристаллического поля имеют определенную пространственную ориентацию. [34]
Спиновый гамильтониан, как правило, имеет форму полинома, переменными в котором являются компоненты спинового оператора, а в коэффициентах учтено влияние кристаллического поля. [35]
Согласно Оргелу, найденные указанным путем значения стабилизации за счет кристаллического поля являются лишь приблизительными, так как при расчетах не принимается во внимание влияние кристаллического поля на величину ионного радиуса. Однако этот эффект не может существенно отразиться на выводах из работы Яцимирского. [36]
МО е, что может быть обусловлено либо неприменимостью к обсуждаемым соединениям теоремы Куп-мэнса, которая использовалась при интерпретации опытных данных, либо неучетом влияния кристаллического поля на положение уровней комплексных анионов. [37]
Для количественного расчета величин расщеплений в этом случае приходится решать сложные секулярные уравнения с одновременным учетом в качестве возмущений спин-орбитальное и межэлектронное вза имодействия и влияние кристаллического поля. [38]
Комплексы переходных металлов, как правило, окрашены, что объясняется наличием у них d - электронов, энергетические уровни которых подвергаются небольшому расщеплению под влиянием кристаллического поля окружающих лигандов. [39]
Полимеризация эпоксидов на твердых поверхностях часто приводит к положительным результатам Ч Исключительные возможности координации мономера и стабилизации переходного состояния в условиях жестко фиксированных групп поверхности и влияния кристаллического поля позволяют осуществлять полимеризацию строго специфически. В результате образуются высокомолекулярные и часто-стереорегулярные полимеры. [40]
 |
Изменения частот ЯКР 35С1 в разных типах связей С - С1. [41] |
В экспериментах, связанных с химическими приложениями ЯКР, следует различать понятия точности измерения, максимально возможных отклонений за счет эффекта кристалла и спектральной неопределенности вследствие влияния кристаллического поля. [42]
Относительно малые магнитные моменты, как и значительные различия эффективных магнитных моментов в парамагнитной области и моментов насыщения в ферромагнитной области для UH3 и UD3 обусловлены, вероятно, влиянием кристаллического поля. [43]
 |
Октаэдрическое расположение лигандов вокруг иона металла.| Энергетическое расщепление d - подуровня в комплексах различной симметрии. [44] |
Так как орбитали dxi-ya и d & направлены вдоль осей координат, на которых расположены лиганды, а орбитали dx, dyz и dxz - в пространство между ли-гандами, то под влиянием кристаллического поля вырождение d - орбиталей снимается. [45]
Страницы: 1 2 3 4