Влияние - внешнее магнитное поле
Cтраница 2
Дополнительная погрешность от влияния внешнего магнитного поля напряженностью 400 а / м, образованного переменным током частотой 50 гц, при самых неблагоприятных фазе и направлении поля для автоматических потенциометров классов 0 25; 0 5; 1 0 и 1 5 с диапазоном измерений 10 мв и более не должна превышать 0 5 %; для автоматических потенциометров с диапазо-ном измерений менее 10 мв и уравновешенных мостов с диапазоном измерений менее 10 ом эта погрешность нормируется в технических условиях на прибор. [16]
Для защиты от влияния внешнего магнитного поля, действие которого особо сказывается у приборов со слабым собственным магнитным полем, ИМ экранируют либо выполняют астатическим. Экранирование - наиболее дешевый и достаточно надежный способ защиты, при котором ИМ располагают внутри ферромагнитного экрана, ослабляющего действие внешнего магнитного поля. Более точные приборы имеют два экрана: внешний - из стали, внутренний - из пермаллоя. [17]
В парамагнетиках под влиянием внешнего магнитного поля обнаруживается парамагнитное вращение плоскости поляризации. Оно налагается на эффект Фарадея, рассмотренный в § 7 - 4, где неявно предполагалось, что магнитное поле не создает какой-либо преимущественной ориентации молекул. В парамагнетиках благодаря множителю (7.49), входящему в функцию распределения, магнитные моменты молекул М ориентируются преимущественно вдоль вектора В. При этом, как видно из формулы (7.12), вращение электронов в молекуле образует преимущественно левовинтовую систему с вектором В. [18]
Степень защиты СЭП от влияния внешнего магнитного поля определяется конструкцией регистратора и свойствами отдельных измерительных преобразователей СЭП, и поэтому уменьшение такого влияния не может быть осуществлено без коренных изменений в конструкции или схеме прибора. Вместе с тем необходимо помнить, что неудачное расположение прибора на щите вблизи источника сильного магнитного поля может повлечь за собой появление недопустимо больших погрешностей прибора. [19]
Изменение показаний прибора от влияния внешнего магнитного поля напряженностью 5 э не превышает 0 5 % от верхнего предела измерения. [20]
Изменение показаний прибора от влияния внешнего магнитного поля напряженностью 5 э не превышает 2 5 % от данного показания. [21]
 |
Принципиальная схема прибора типа ЭЛМА. [22] |
Изменение показаний прибора от влияния внешнего магнитного поля напряженностью в 5 э не превышает 0 5 % от верхнего предела измерения. [23]
Изменение показаний прибора от влияния внешнего магнитного поля напряженностью 5 э не превышает 1 % от верхнего предела измерения. [24]
Изменение показаний прибора от влияния внешнего магнитного поля напряженностью 5 э не превышает 2 5 % от верхнего предела измерения. [25]
 |
Внешний вид прибора типа Н305. [26] |
Изменение показаний прибора от влияния внешнего магнитного поля напряженностью 5 э не превышает 1 % от верхнего предела измерения. [27]
Изменение показаний прибора от влияния внешнего магнитного поля частотой 50 гц напряженностью в 5 э не превышает 0 5 % от длины шкалы. [28]
Изменение показаний прибора вследствие влияния внешнего магнитного поля напряженностью 400 а / м не превышает 5 % верхнего предела измерения; при отклонении частоты от номинальной на 10 % - не превышает 4 % верхнего предела измерений. [29]
Изменение показаний прибора вследствие влияния внешнего магнитного поля напряженностью 400 а / м не превышает 5 / 6 верхнего предела измерения; при отклонении частоты от номинальной на dlQ % - не превышает 4 % верхнего предела измерений. [30]
Страницы: 1 2 3 4