Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Если ты закладываешь чушь в компьютер, ничего кроме чуши он обратно не выдаст. Но эта чушь, пройдя через довольно дорогую машину, некоим образом облагораживается, и никто не решается критиковать ее. Законы Мерфи (еще...)

Влияние - внешнее магнитное поле

Cтраница 3

Изменение погрешности усилителя под влиянием внешнего магнитного поля частотой 50 гц напряженностью 400 а / м не превышает значения основной погрешности.  [31]

Изменения показаний приборов под влиянием внешнего магнитного поля нормируются в технических условиях на конкретный тип прибора.  [32]

Дополнительная погрешность, вызванная влиянием внешнего магнитного поля напряженностью 400ав / ж, не превышает 0 3 % номинального значения предела измерения.  [33]

Изменение показаний мегомметра под влиянием внешнего магнитного поля - ( постоянного и переменного) напряженностью 400 ав / м не должно превышать 2 5 % от длины рабочей части шкалы.  [34]

Изменение показаний прибора под влиянием внешнего магнитного поля напряженностью 400 а / м, образованного током частотой до 1000 гц, или 267 а / м, образованного током частотой до 1500 гц, составляет 2 5 % верхнего предела измерения.  [35]

Изменение погрешности усилителя под влиянием внешнего магнитного поля частотой 50 гц напряженностью 400 а / м не превышает значения основной погрешности.  [36]

В этом случае под влиянием внешнего магнитного поля индуцируется орбитальное движение электронов, которое з свою очередь создает слабое вторичное магнитное поле.  [37]

Изменение показаний прибора под влиянием внешнего магнитного поля напряженностью 400 а / м, образованного током частотой до 1000 гц, или 267 а / м, образованного током частотой до 1500 гц, составляет 2 5 % верхнего предела измерения.  [38]

Схема устройства магнитоэлектрического измерительного механизма с внутрирамочным магнитом.| Измерительный механизм с подвижным магт ч нитом.  [39]

Экран 6 из перемаллоя уменьшает влияние внешнего магнитного поля.  [40]

Полевая зависимость параметра изотопного обогащения та, ( т /. н - т / 0 / ( 1 - трн. В этих расчетах предполагалось, что РП могут рекомбинировать только в синглетном состоянии и были использованы следующие параметры. в протонированной РП радикалы А и В имеют эффективные константы СТВ, равные ( А А мТл, ( A B мТл. в дей-терированной РП эффективные константы СТВ уменьшены в четыре раза. Другие параметры РП.. д 8, . в 2, / О, Ks 1000 нет1, TD не, т, гс / 20.  [41]

Одним из критериев МИЭ является влияние внешнего магнитного поля.  [42]

Эту часть тока, обусловленного влиянием внешнего магнитного поля, называют парамагнитным током.  [43]

Изменение показаний прибора, вызванное влиянием внешнего магнитного поля напряженностью 5 э, не превышает 0 5 % от верхнего предела измерения.  [44]

Изменение показаний прибора, вызванное влиянием внешнего магнитного поля напряженностью 80 А / м, образованного переменным током частотой 50 Гц или постоянным током напряженностью 400 А / м, при самых неблагоприятных фазе и направлении поля составляет 1 % от нормирующего значения.  [45]

Страницы:      1    2    3    4