Влияние - внутреннее поле
Cтраница 1
Влияние внутреннего поля при высоких уровнях инжекции удобно учитывать, вводя коэффициент г, характеризующий уровень инжекции. [1]
Во-вторых, проявляется влияние внутреннего поля кристалла как на процессы диссоциации, так и на стабилизацию вновь образующихся частиц. [2]
Столь большие расхождения теории с экспериментом были приписаны влиянию внутреннего поля. Когда эти три полярные смеси были разбавлены бензолом и тем самым получены три ряда разбавленных растворов, содержащих мольную долю полярных смесей менее 0 025, расхождение между наблюдаемыми и вычисленными отношениями С1 / С2 исчезает, а времена релаксации двух полярных компонентов оказываются независимыми от их относительных концентраций при столь сильном разбавлении. По-видимому, эти данные подтверждают правильность отнесения расхождений между вычисленными и наблюдаемыми результатами для концентрированных полярных смесей к влиянию внутреннего поля, которое значительно снижается или вообще исчезает в разбавленных растворах. [3]
При небольших уровнях инжекции ( р0, 1 пп) влиянием внутреннего поля на дырочный ток в базе транзистора, как видно из этого соотношения, можно пренебречь. [4]
 |
Температурная зависимость коэффициента расширения №. [5] |
Здесь же мы остановимся лишь на вопросе о спонтанном намагничивании ферромагнетика внутри домена под влиянием внутреннего поля. [6]
Исключение составляют некоторые керамические диэлектрики, в которых преобладает электронная поляризация, усиленная под влиянием добавочного внутреннего поля при ионном смещении. [7]
По данным Г. И. Сканави, отрицательный TKs этих кристаллов объясняется преобладающей в них электронной поляризацией, усиленной под влиянием добавочного внутреннего поля при ионном смещении. [8]
Следует отметить, что после изготовления термоэлектрета и отрыва электродов от поверхности начинается образование гомозаряда за счет смещения ионов в электрете под влиянием внутреннего поля электрета [146-149], причем кинетика образования гомозаряда определяется температурными условиями хранения электрета ( см. гл. Механизм образования гомозаряда в этом случае, по-видимому, не отличается от механизма образования гетерозаряда, обусловленного смещением ионов. [9]
Следует отметить, что после изготовления термоэлектрета и отрыва электродов от поверхности начинается образование гомо-заряда за счет смещения ионов в электрете под влиянием внутреннего поля электрета, причем кинетика образования гомозаряда определяется температурными условиями хранения электрета ( см. гл. Механизм образования гомозаряда в этом случае, по-видимому, не отличается от механизма образования гетерозаряда, обусловленного смещением ионов. [10]
Поведение слабых ферромагнетиков во внешнем магнитном поле аналогично поведению обычных антиферромагнетиков. Нужно лишь учесть влияние эффективного внутреннего поля Дзялошин-ского, приводящего к неколлинеарности подрешеток. [11]
Поведение слабых ферромагнетиков во внешнем магнитном поле аналогично поведению обычных антиферромагнетиков. Нужно лишь учесть влияние эффективного внутреннего поля Дзялошин-ского, приводящего к неколлинеарности подрешеток. [12]
 |
Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры для неполярного диэлектрика - парафина.| Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры для ионного кристалла КС1. [13] |
Исключением являются кристаллы, содержащие ионы титана ( рутил ТЮ2 и некоторые титанаты), температурный коэффициент диэлектрической проницаемости которых отрицателен. Это объясняется преобладающей в них электронной поляризацией, усиленной под влиянием добавочного внутреннего поля при ионном смещении. [14]
Иными словами, теория рассматривает гибкие цепи - совокупности независимых сегментов. Учет взаимодействия с растворителем в теории Стюарта и Петерлина производится через влияние внутреннего поля на поляризуемость статистического элемента. [15]
Страницы: 1 2