Влияние - паразитный транзистор
Cтраница 1
 |
Схема р - n - переходов планарно-эпитаксиального транзистора. [1] |
Влияние паразитного транзистора уменьшается, если под коллектором имеется скрытый слой, снижающий коэффициент усиления тока паразитного транзистора. [2]
Характеристики диода определяются с учетом влияния паразитного транзистора. В закрытом состоянии диода паразитный транзистор работает в области отсечки, поэтому активное действие транзистора не проявляется. При этом входной / вх и выходной 7Вых токи диода, а также ток утечки в подложку / ут определяются тепловыми токами переходов, которые для кремниевых приборов пренебрежимо малы. Когда диод смещается в прямом направлении, отпирается эмиттерный переход паразитного транзистора, который начинает работать в активной области. При этом транзистор работает как усилитель тока, поэтому заметно возрастает ток утечки. [3]
 |
Упрошенные формулы для расчета емкости и времени рассасывания. [4] |
Во всех остальных диодах, представляющих собой многослойные структуры, влияние паразитного транзистора сказывается настолько существенно, что без устранения их активного действия ( например, путем легирования золотом) невозможно уменьшить токи утечки, достигающие заметного значения. [5]
Влияние паразитного транзистора можно уменьшить введением скрытого слоя N Типа, который снижает усиление по току. [6]
Как только основной транзистор входит в насыщение, его коллекторный переход оказывается смещенным в прямом направлении. При легировании золотом Впар снижается до 0 01 и влияние паразитного транзистора по существу устраняется. Образование паразитных транзисторных структур возможно и в других интегральных элементах и должно учитываться при разработке интегральных схем. [7]
 |
Пять диодных схем включения интегрального транзистора. а - структуры диодов. б - полная эквивалентная схема. [8] |
Характерное отличие интегрального диода от дискретного заключается в наличии паразитной емкости и паразитного транзистора. Интегральный диод можно рассматривать как трехполюсный прибор, третьим электродом которого служит подложка. Влияние паразитного транзистора, включающего в себя базу, коллектор и подложку, необходимо учитывать при проектировании полупроводниковых ИМС. Так как в полупроводниковой ИМС, изолированной с помощью p - n - перехода, подложка соединяется с наиболее отрицательной точкой схемы, то коллекторный переход паразитного транзистора смещается в прямом направлении. [9]
 |
Пример эквивалентных схем элементов полупроводниковых интегральных схем. [10] |
На рисунке схематически показана одна из возможных пленарных структур МЭТ и его упрощенная эквивалентная схема. Последняя помимо основного транзистора включает в себя паразитные транзисторы эмиттер - база - эмиттер. Степень влияния паразитных транзисторов зависит от взаимного расположения эмиттеров и физических параметров транзистора в целом. При разработке транзистора стремятся по возможности сократить коэффициенты передачи паразитных транзисторов, чтобы свести их влияние к минимуму. [11]
 |
Диодная сборка. [12] |
Переход база - коллектор, играющий роль эмиттерного перехода паразитного транзистора, в диодных схемах в, г и д смещается в прямом направлении. Таким образом, в этих схемах выполняются условия, соответствующие включению паразитного транзистора в обычном усилительном режиме. В этом случае влияние паразитного транзистора на работу ИС является очень незначительным. В обычных ИС действие паразитного транзистора не сказывается в варианте схемы б, так как р-область эмиттера этого транзистора закорочена с п-об-ластью базы. [13]
 |
Диффузионный резистор. а структура. б эквивалентная схема. [14] |
Паразитный транзистор имеет коэффициент р 0 6 - i - 5 в зависимости от толщины базы и может усиливать любые токи утечки. Он действует как шунт между резистором и подложкой. Поэтому с целью предотвращения влияния паразитного транзистора слой п-типа подключают к самому высокому положительному потенциалу схемы. [15]
Страницы: 1 2