Влияние - паразитный транзистор
Cтраница 2
ИМС, предназначенные для преобразования, обработки, формирования и генерирования импульсных сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Анализируются электронные ключи и логические элементы на биполярных и МДП-транзисторах. Приведенные схемы замещения позволяют проанализировать поведение базовых элементов ИМС на различных этапах переходного процесса, установить влияние отдельных элементов на длительность переключения и определить влияние паразитных транзисторов, свойственных интегральным структурам. Математические соотношения, описывающие статические и динамические характеристики логических элементов, представляют собой основу для составления макромоделей базовых элементов. [16]
 |
Диффузионные конденсаторы и их эквивалентные схемы.| Конденсатор структуры МДП. а - конструкция. б - эквивалентная схема. [17] |
Максимальные значения номиналов конденсаторов ограничиваются площадью ИС, которая может быть выделена для получения конденсатора, а также процентом выхода годных изделий. Емкости этих конденсаторов имеют сильно выраженную зависимость от приложенного напряжения. В рабочем интервале напряжений они изменяются в 2 - 3 раза, уменьшаясь с ростом напряжения. Последовательно с конденсатором действует объемное сопротивление материла слоя кремния. Более полная эквивалентная схема должна учитывать влияние паразитных транзисторов и токов утечек обратно смещенных переходов. Последовательное сопротивление существенно снижает добротность и ограничивает частотный предел использования конденсатора. [18]
Страницы: 1 2