Влияние - хемосорбция
Cтраница 1
Влияние хемосорбции на краевые углы проявляется весьма отчетливо при взаимодействии ксантатов щелочных металлов ( общая формула CnH2n - H OCSS - металл) с малахитом и другими гидрофильными минералами, в состав которых входят катионы тяжелых металлов. Сорбция ксантатов сопровождается химической реакцией на поверхности минерала. Эта пленка своими полярными группами - SSC обращена в сторону поверхности минерала и прочно закреплена на твердом теле возникающими химическими связями. На другой стороне пленки, обращенной в сторону водного раствора, расположены неполярные ( гидрофобные) участки молекул ДАВ. [1]
 |
Изменение работы выхода qSi ( III в адсорбционно-десорб. [2] |
Изучение влияния хемосорбции паров воды и муравьиной кислоты на электрофизические параметры окислов проводилось в изобарических условиях. [3]
Под влиянием хемосорбции происходит изменение работы выхода и электропроводности полупроводника ( см. § 7, в) - Это есть следствие заряжения поверхности при хемосорбции, что в свою очередь является следствием самого факта существования прочных форм хемосорбции. [4]
Рассмотрим механизм влияния хемосорбции на некоторые свойства полупроводника. [5]
Справедливость такого механизма и влияния хемосорбции подтверждено изучением гидрогенолиза атролактиновой кислоты и ее 0-производных. [6]
 |
Величины хемосорбции газов из азото-водородной смеси при температуре 180 С.| Изотермы адсорбции водорода, снятые при температуре 180 С. [7] |
Таким образом, на поверхности - катализатора наблюдается влияние хемосорбции одного газа на другой. Сопоставление изотерм адсорбции азота на тренированной поверхности катализатора и на поверхности с адсорбированным водородом ( рис. 3) показывает, что предварительная адсорбция водорода увеличивает хемосорбцию азота. [8]
Смещение уровня Ферми на поверхности кристалла, происходящее под влиянием хемосорбции, вызывает ряд эффектов. Рассмотрим эти эффекты, предопределяющие хемосорбционные и каталитические свойства поверхности. [9]
Магнитооптический метод, позволяет исследовать динамику изменения состава поверхностного слоя на глубину 30 ни, а также влияние хемосорбции на поверхностные свойства катализатора в широкой области энергий квантов падающего света от 0 2 до 5 эв. [10]
 |
Работа выхода электрона для серебра при адсорбции газов на катализаторе. [11] |
На серебряном катализаторе измеряли [59] работу выхода электрона при адсорбции этилена и кислорода ( табл. 55), влияние предварительной хемосорбции кислорода на поглощение катализатором этилена и смесей этих газов. При адсорбции кислорода наблюдается увеличение работы выхода электрона. Наибольшее Дер оказалось для катализатора, промотираванного малым количест -; вом хлора. [12]
Некоторые из экспериментальных данных сведены в таблице 1, в которой знак или - означает соответственно положительное или отрицательное заряжение поверхности при хемосорбции ( случай АО О или Аа0), определенное по изменению работы выхода или по изменению электропроводности или обоими методами одновременно; знак X означает отсутствие влияния хемосорбции на заряд поверхности ( случай АО 0); цифры в квадратных скобках означают ссылки на соответствующие работы. [13]
Термическое фасетирование часто бывает выражено яснее, если нагревание проводят не в вакууме, а в присутствии реакци-онноспособных газов. Это вызывается влиянием хемосорбции на ориентационную анизотропность испарения, а также на поверхностную энергию граней и поверхностную диффузию. Наиболее подробно исследовано влияние кислорода, но термическое фасетирование наблюдается также в присутствии галогенов и серы. Термическому фасетированию подвержены самые различные металлы, в том числе Ag, Аи, Си, Fe, Ni, Pd, Pt, Ir и W. Данные по этому вопросу обобщил Мур [56], а в более поздних работах Тейлора [57], а также Ли и Ми [58] подробно исследуется вольфрам. [14]
В том же параграфе представлены дополнительные соображения в пользу модели кристаллической плоскости, не подтверждающие модель распределения. Перераспределение атомов поверхности металла под влиянием хемосорбции водорода обсуждается в § 6 на основе модели кристаллической плоскости. [15]
Страницы: 1 2