Структура - микросхема
Cтраница 1
Структура микросхем АТ40К, в основных чертах, типична для классических FPGA, хотя и имеет некоторые оригинальные особенности. Квадратная область, занимаемая FPGA на кристалле, от края до края плотно заполнена идентичными логическими ячейками. Помимо этих ячеек в области FPGA реализованы повторители ( Repeaters), сегментированные программируемые связи и блоки RAM. Повторители соединяют смежные сегменты в горизонтальных и вертикальных трассах передачи сигналов, размещенных через каждые четыре ячейки по обеим координатам. На пересечениях рядов, содержащих повторители, находятся блоки RAM емкостью 32x4 бита каждый. В трактах трассировки выделяются локальные линии связи и экспресс-линии. В экспресс-линиях повторители включены реже, чем в локальных, а длина их сегментов больше. [1]
Структура микросхемы - определенная последовательность топологических слоев по нормали к поверхности подложки, различающихся материалом, толщиной и электрическими свойствами. [2]
Структура микросхемы ОЗУ приведена на рис. 10.9. Помимо уже известных устройств она содержит устройство записи. [3]
Структура микросхемы ПЗУ приведена на рис. 10.6. Накопитель содержит п строк и т столбцов. Информационная емкость микросхемы памяти М - пт бит. [4]
По своей структуре микросхемы Spartan продолжают линию развития классических FPGA, популярным представителем которой является семейство ХС4000 той же фирмы. [5]
Рассмотрим процесс создания структуры микросхемы, содержащей транзисторы с индуцированными и встроенными каналами. Границы 12 разделительных слоев / / ( рис. 4.2, в) образуют так называемые окна, определяющие места расположения будущих транзисторов. Ионным внедрением бора получают слой 10 с повышенной по отношению к подложке концентрацией акцепторов. [6]
Последней операцией, завершающей формирование структуры микросхемы, является создание электрических соединений и контактов через вытравленные для этой цели окна. Соединения и невыпрямляющие контакты образуются нанесением на подложку тонкой металлической ( чаще всего алюминиевой) пленки. Из этой пленки методом фотолитографии формируются все соединения и контактные площадки на поверхности кристалла. [7]
Архитектурно-схемотехнический этап включает разработку архитектуры и структуры микросхемы, функциональных и принципиальных электрических схем, математическое моделирование и другие работы. [8]
Для предотвращения сбоев от а-частиц следует выбирать такую структуру микросхемы, в которой большая часть электронов, генерируемых вдали от области запоминающего конденсатора, не могла бы проникать в нее. Это достигается в структурах с сильнолегированной подложкой, на которую нанесен тонкий эпитаксиальный слой с расположенными в нем элементами. Большая часть электронов, возникших в подложке, не доходит до эпитаксиального слоя и активных областей приборов, рекомбинируя в подложке, время жизни и диффузионная длина неосновных носителей в которой малы ( около 10 не и 2 мкм при УУа. Поэтому СБИС памяти с большой информационной емкостью ( 1 Мбит и более), где сбои от а-частиц особенно вероятны из-за малого заряда запоминающего конденсатора, целесообразно создавать на эпитаксиальных структурах. [9]
Эта диэлектрическая пленка хорошо выполняет также роль пассивирующего слоя, надежно защищающего все структуры микросхемы от воздействия агрессивных сред. [10]
Сборку полупроводниковых микросхем производят после групповой обработки пластин, в результате которой тем или иным технологическим процессом создаются структуры микросхем с металлизацией. Перед сборкой контролируют функционирование микросхем - проверяют работоспособность по тестовым программам и выявляют негодные участки пластин. [11]
 |
Схема термовакуумного осаждения тонких пленок. [12] |
Оплавление порошка стеклообразного материала ( стекла, глазури) на поверхности кремниевой или керамической подложки; широко применяется для пассивирования структур готовых микросхем и бескорпусных полупроводниковых приборов. [13]
Стабильность во времени свойств резисторов, прежде всего сопротивления, обеспечивается применением химически малоактивных материалов ( тантала, нитрида тантала, рения) и защитой резисторов от воздействия атмосферы - пассивированием структур микросхем после их изготовления. [14]
Внешними элементами гибридных ИМС ( как пленочных, так и полупроводниковых) могут быть катушки индуктивности, трансформаторы, конденсаторы большой емкости, мощные транзисторы, которые не могут быть реализованы в структурах микросхемы. Однако число таких навесных компонентов все уменьшается благодаря успехам микросхемотехники, разрабатывающей ИМС без внешних элементов, так называемые однородные микросхемы, которые выполняют заданные функции в РЭА. [15]
Страницы: 1 2