Структура - микросхема
Cтраница 2
После расчета интегральной схемы перед ее изготовлением разрабатываются размещение и коммутация элементов микросхемы ( топология микросхемы), выполняется чертеж взаимного расположения и формы элементов и соединений микросхемы ( топологический чертеж), выполняются с высокой точностью в увеличенном масштабе специальные чертежи каждого слоя структуры микросхемы ( оригиналы микросхемы), по которым изготавливаются фотошаблоны - негативные или позитивные изображения оригинала на прозрачном материале в масштабе микросхемы. [16]
Молекулярные микросхемы, осуществляющие преобразование электрических сигналов на основе использования физических явлений в молекулах твердого тела. В структуре функциональных микросхем трудно или невозможно выделить элементы или области, выполняющие отдельные влектрические функции и эквивалентные обычным элементам. [17]
Рассмотрим факторы, влияющие на точность линейных размеров элементов структур. Ограничена точность фотолитографии, точность совмещения фотошаблона с уже имеющимися на подложке элементами структур микросхем. [18]
Специфика технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, ее групповой характер не позволяют полностью применить традиционные методы разработки электронных схем. Кроме того, между элементами микросхемы всегда существует взаимосвязь, обусловленная их ( взаимодействием и паразитными эффектами, присущими полупроводаиковым микросхемам, что в конечном итоге определяется структурой микросхемы и технологией ее изготовления. Поэтому при разработке микросхем главную роль ВГраеТ ТШ ОЛОГНЧеШЙ М6ТВД ИХ ИЗГОТОШШЯ, Поскольку возможности технологии, технологические данные и ограничения наряду с электрическими, конструктивными и эксплуатационными показателями являются исходными при проектировании. [19]
 |
Условное графическое обозначение К1800ВР8. [20] |
Микросхема выполняет восемь операций сдвига: арифметический сдвиг влево и вправо, циклический сдвиг влево и вправо, сдвиг влево и вправо в дополнительном коде, блокировку выходов, распространение знакового разряда по всем выходам. Каждая операция сдвига задается с помощью управляющих сигналов на семи входах микросхемы. Структура микросхемы позволяет организовать устройства сдвига необходимой разрядности. [21]
Электрическая схема должна функционировать при заданных изменениях условий работы без регулировок и подстроек, так как в микросхеме они невозможны. Выбирают и обосновывают технологический метод изготовления микросхемы; разрабатывают полный топологический чертеж. Для этого видоизменяют рисунок электрической схемы таким образом, чтобы получить минимальное число пересечений, это упрощает выполнение соединений в структуре микросхемы. Длину проводников также стремятся сократить до минимума. [22]
Все же сравнительно невысокие точности стола и устройства совмещения установки ограничивают ее использование для микрогравировки непосредственно на полупроводниковых пластинах. В то же время для изготовления некоторых простых структур эта установка пригодна. Она может быть использована для изготовления промежуточных фотошаблонов, когда на заготовке фотошаблона экспонируется единая структура - модуль интегральной схемы или транзистора в увеличенном, например в 10 раз, масштабе. В этом случае площадь экспонируемого рисунка разбивается на квадраты размером 2X2 мм2 и для каждого квадрата составляется самостоятельная программа экспонирования с таким расчетом, чтобы рисунки отдельных квадратов образовали увеличенную структуру микросхемы. Эту структуру используют для дальнейшей мультипликации на фотоповторителе. [23]
Страницы: 1 2