Структура - тонкая пленка
Cтраница 2
Интерес представляют и возможности исследования фазовых переходов, структуры тонких пленок, мелкодисперсных фаз и поверхностей твердых тел путем измерения / для этих систем. [16]
С этой точки зрения, важно отметить, что диапазон изменений структуры тонкой пленки может быть шире, чем это имеет место в массивном образце, потому что условия формирования пленки могут меняться в более широких пределах, чем условия образования массивного образца. При температуре подложки 800 С напыленная пленка представляет собой совершенный монокристалл; практически структура и количество дефектов в ней не отличаются от совершенного массивного кристалла, используемого в качестве подложки. При температуре подложки 550 С пленка еще является монокристаллической, однако плотность дефектов упаковки в ней очень высока. При 320 С пленка уже поликристаллическая, а при 25 С - аморфная. [17]
Битумы III типа представляют собой системы с сопряженными структурами в виде отдельных агрегатов и элементов коагуляцион-ного каркаса из асфальтенов и структуры тонких пленок смол, адсорбированных на поверхности асфальтенов и связывающих от-дельные агрегаты асфальтенов. Свойства битумов III типа определяются наличием элементов коагуляционной структурной сетки из асфальтенов и надмолекулярными образованиями смол в тонких пленках. [18]
Плотность дислокаций может быть определена экспериментально при больших увеличениях подсчетом числа выходов дислокаций на единицу площади предварительно протравленного металлографического шлифа, а также при изучении на просвет структуры тонких пленок в электронном микроскопе. [19]
Следует отметить, что применение рентгеновских микропучков для аналогичных целей позволяет получить ценные данные о субструктуре деформированных металлов ( 8 ], однако рентгеновские методы не применимы для изучения структуры тонких пленок. [20]
Структура тонких пленок определяется процессом их нанесения. [21]
Как и в массивном материале, пьезосопротивление тонких проводящих пленок обусло влено в основном изменением удельного сопротивления, которое имеет место при деформации. Однако структура тонких пленок часто отличается от структуры массивных образцов, и поэтому относительная роль различных механизмов рассеяния электронов может измениться. В частности, близость внешних поверхностей друг к другу и наличие большого числа границ зерен может привести к тому, что доминирующим механизмом в сопротивлении будет рассеяние на поверхности. [22]
 |
Многофункциональный диэлектрический элемент.| Логическая схема НЕ на ламповом триоде. [23] |
При производстве малогабаритной радиоэлектронной аппаратуры, в устройствах управления и памяти с высоким быстродействием ( 0 02 мкс) все шире применяются тонкопленочные диэлектрические и магнитные элементы, получаемые вакуумным напылением. Высокое быстродействие таких элементов обусловлено однодоменнои структурой тонкой пленки, что облегчает процесс переполяризации или перемагничивания. [24]
Несколько специфично влияние подложки на структурирование полисилоксанов, в которых сетка отвержденного продукта состоит из микроучастков особо высокой плотности с редкими связями между ними. Это приводит к перенапряжениям на границе раздела. Структура тонких пленок полисилоксана ( 10 - 50 нм) на поверхности полупроводниковых кристаллов зависит от подготовки последних, но в толстых слоях ( 300 - 500 нм) основную роль играют условия силанирования. [25]
 |
Кривая радиального распределения атомов жидкой ртути [ р ( г - плотность на расстоянии г от данного атома, ро-средняя плотность в образце ]. [26] |
Если направить пучок электронов на мелкокристаллическое вещество, то на фотопластинке получается электронограмма, вид которой ничем не отличается от соответствующей рентгенограммы. В отличие от - рентгеновского метода в электронографии вследствие большого поглощения электронов веществом исследованию подвергаются очень тонкие слои вещества, порядка 10 - 6 - 10 - 7 см. Хотя экспериментальные методики рентгенографии и электронографии значительно различаются, методы обработки результатов эксперимента почти тождественны. Электронография позволяет изучать структуру тонких пленок и поверхностных слоев вещества. [27]
Книга посвящена ориентированной кристаллизации ( эпитаксии) на анизотропных поверхностях. Главное внимание уделено монокристальным пленкам, получаемым при химическом росте и конденсации веществ из паровой фазы в вакууме. Рассмотрены теории конденсации и ориентированной кристаллизации, структура тонких пленок и ориентациошше соотношения, механизмы роста конденсатов, а также практические приложения монокристальных пленок. Особое внимание обращено на тонкие пленки полупроводников, в частности рассмотрена роль автоэиитаксии полупроводниковых элементов и соединений в микроминиатюризации электронных устройств. [28]
Одна из важнейших практических задач при выращивании монокристальных пленок заключается в выяснении причин образования структурных дефектов. Большая часть исследований направлена на то, чтобы на основе глубокого физического изучения различных этапов формирования структуры тонких пленок найти способы, позволяющие снизить число дефектов, если их образование вообще нельзя предотвратить. Первая задача сводится к определению стадии роста, на которой образуются структурные несовершенства. [29]
Например, сфазированные вращающиеся диски с щелями, расположенными на определенном расстоянии друг от друга, будут пропускать нейтроны только определенной энергии, создавая импульсный пучок квазимонохроматических нейтронов. Он существенно отличается от рентгене - и нейтронографического методов тем, что интенсивность рассеяния электронов атомом почти в 10е раз превышает интенсивность рассеяния рентгеновского излучения и нейтронов. Это обусловливает быстроту проведения электронографических исследований и его незаменимость при изучении строения молекул газов, структуры тонких пленок и кинетики их образования. Вместе с тем электронография уступает рентгено - и нейтронографии диапазоном практического применения. Электроны сильно поглощаются веществом. Поэтому электронограммы можно получать только от тонких слоев образца. Съемка со свободной поверхности практически неосуществима, потому что образец, облучаемый нами, должен помещаться внутрь электронографа, из которого откачан до давления порядка 10 - 4 Па. [30]
Страницы: 1 2 3