Структура - поверхность - кристалл
Cтраница 1
 |
Винтовая дислокация. [1] |
Структура поверхности кристаллов с винтовой дислокацией существенно влияет на увеличение скорости кристаллизации. [2]
Структура поверхности кристалла интересна во многих отношениях. Для нас особенно интересна связь между структурой поверхности чистого кристалла и природой и энергией образования поверхностных комплексов адсорбент - адсорбат. Идеальная поверхность - это поверхность, на которой положения атомов могут быть рассчитаны исключительно с помощью знания структуры объема кристалла и рассмотрения кристаллографических плоскостей. В связи с этим важно также идентифицировать и определить неидеальные поверхности. Неидеальные поверхности могут быть подразделены на две основные группы: смещенные поверхности, на которых поверхностные атомы сдвинуты на короткие расстояния, но связи не нарушены, и перестроенные поверхности, на которых поверхностные связи разрушены и произошла миграция поверхностных атомов к новым центрам. [3]
Неоднородность структуры поверхности кристалла предопределяет возможность наличия вдоль нее градиента химического потенциала. Эти процессы идут в направлении выравнивания поверхности граней, залечивания их дефектов. Кроме того, распространению вещества по поверхности ( его ползучести, растеканию) способствуют неровности, которые служат стоками для диффундирующих частиц. [4]
Для исследования структуры поверхности кристаллов графита можно использовать обычную технику металлографии и многие приемы, обсуждавшиеся выше. [5]
На рис. 3.1 схематически представлена структура поверхности кристалла с простой кубической решеткой. Идеальная упаковка нарушена вакансиями и адсорбированными атомами. [6]
Очень интересно выяснить, совпадают ли структуры поверхностей расколотых кристаллов и кристаллов, очищенных с помощью ионной бомбардировки и прогрева. Такого рода эксперименты впервые были выполнены Хейнеманом [21], который рассматривал грани ( 0001) теллурида висмута. Результаты исследования поверхностей, приготовленных указанными способами, находились в согласии друг с другом. Однако, как отмечено выше, структура этих кристаллических граней не отклоняется от нормальной. Хотя для грани ( 111) поверхности раскола также наблюдались потоки дробного порядка, распределение интенсивности в обоих случаях заметно различалось. Кроме того, прогрев поверхности раскола приводил к резко выраженным изменениям, позволяющим предположить, что после раскалывания при комнатной температуре атомы поверхности находятся не в равновесных положениях. Было также отмечено, что поверхность, полученная методом конной бомбардировки и прогрева, значительно ближе к идеальной поверхности, образуемой набором граней ( 111), чем поверхность раскола. Лендер и др. [24] сравнительно недавно повторили опыты с раскалыванием кристаллов кремния и получили похожие результаты. [7]
В заключение данного подраздела укажем, что изучение структуры поверхности кристаллов методом дифракции медленных электронов в сочетании с одновременным наращиванием на этой поверхности слоев того же вещества, позволяет получить важные сведения о процессе автоэпитаксии. О полученных ими результатах говорится в гл. [8]
Предложенный здесь метод позволяет варьировать в достаточно широких пределах структуру поверхности кристаллов независимо от изменений химического состава. Для системы Pt - Н - субстрат опыты проведены в достаточно широком диапазоне изменения степеней заполнения водородом поверхности платины. Поэтому можно было предполагать, что различия в активности, связанные с изменениями структуры кристаллов, можно заметить, если они есть в действительности. [9]
Несмотря на значительное количество экспериментальных данных, пока невозможно однозначно описать структуру поверхности кристаллов полиэтилена из сложенных цепей ( разд. [10]
 |
Грань ( 100 кристалла с простой кубической решеткой [ Verma, 1953 ]. Л - положение повторимого шага. [11] |
В конце предыдущей главы обсуждались некоторые аспекты теории роста кристаллов, однако при этом не рассматривалась детально структура поверхности кристалла. [12]
Для того чтобы точно записать условия термодинамической устой-вости дефектного поверхностного слоя, необходимо знать его струк-ру на молекулярном уровне. Возможные энтропийные эффекты, обус-вленные особой структурой поверхности кристаллов, были рассмотре-i в разд. [13]
Адсорбированные газы способствуют увеличению плотности зародышей и заметно изменяют подвижность адсорбированных атомов. Более того, адсорбированные пленки способны существенно изменять структуру поверхности кристаллов. [14]
Не все разделы книги Р. А. Лодиза и Р. Л. Паркера равнозначны. В частности, у Р. А. Лодиза не вполне удачно представлена проблема структуры поверхности кристалла ( разд. Трудно согласиться с трактовкой эффекта грани в разд. В действительности, как показано в последние годы [9-10] 1), явление связано с одновременным существованием на фронте роста сингулярных и атомно-шероховатых поверхностей, нуждающихся для роста в существенно разных переохлаждениях. В изложение Р. Л. Паркера изредка вкрадывается реферативно-компилятив-ный стиль. [15]
Страницы: 1 2