Изменение - электрофизические свойство
Cтраница 1
Изменения электрофизических свойств графитирующихся переходных форм углерода в интервале температур обработки 1000 - 3000 С ( рис. 2) согласуются с подразделением процесса преобразования на три указанные стадии. [1]
Изменение электрофизических свойств локальных областей полупроводника ( типа электропроводности, удельного сопротивления, диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда) достигается путем легирования, или контролируемого введения примесных атомов. В технологии изготовления полупроводниковых ИМС для легирования кремния обычно применяют два метода - диффузию атомов примесей и внедрение ускоренных ионов. [2]
 |
Зависимость диэлектрической проницаемости ( а и тангенса угла потерь ( б синтетических алмазов от температуры ( 1, давления ( 2 я продолжительности циклов выращивания ( 3. [3] |
Такое изменение электрофизических свойств включений в алмазах с ростом Т, возможно, связано с активизацией диффузионных процессов в объеме включений и перераспределением компонентов в них. [4]
Радиационное облучение вызывает изменение электрофизических свойств технической керамики. Диэлектрические потери, как правило, возрастают, диэлектрическая проницаемость и пробивная напряженность для различных материалов носит переменный характер, но, как правило, изменяется мало. Весьма существенно меняет облучение теплопроводность керамики. Так, по некоторым данным, теплопроводность некоторых видов керамики снижается на порядок. Термостойкость керамики соответственно уменьшается. [5]
Характер и степень изменения электрофизических свойств в конденсаторах зависят прежде всего от реакции материалов, из которых они изготовлены, и окружающей среды на воздействие ионизирующих излучений, а также от конструктивных особенностей изделий. [6]
На основе анализа особенностей изменения электрофизических свойств в области собственной проводимости сделан вывод о том, что свободный Sd-уровень атомов хрома в CrSi2 играет роль акцептора и энергетически расположен между краем валентной зоны и дном зоны проводимости. Из анализа экспериментальной и расчетной плотности CrSij сделано предположение о том, что высокая ( 1020 см-3) концентрация дырок при комнатных температурах в стехиометрических образцах связана с молекулярной дефектностью кристаллической решетки. [7]
Характер структурных дефектов, приводящих к изменению электрофизических свойств полупроводников, подвергнутых радиационным воздействиям, имеет фундаментальное значение в вопросах об устойчивости параметров и обеспечении надежности работы полупроводниковых приборов, широко применяемых в автоматике современных летательных аппаратов, ядерной энергетике и других практически важных областях. В чисто научном плане проблема радиационной стойкости кристаллических тел вообще и полупроводниковых кристаллов в частности сводится к выяснению сложных механизмов взаимодействия первичных радиационных дефектов с атомами легирующих ( или остаточных) примесей, врожденными дефектами структуры кристалла, а также тех последствий ( начиная с изменений в зонной структуре), к которым эти взаимодействия приводят. [8]
 |
Зависимость толщины непроводящего слоя от времени отжига при. [9] |
Для подтверждения определяющей роли кислорода в изменении электрофизических свойств пленок р - В1058Ь15Те3 при отжиге их на воздухе, при тех же температурах был выполнен отжиг толстых пленок в чистом кислороде. Характер изменения электрофизических свойств пленок после отжига в кислороде оказался таким же, как и при отжиге на воздухе, с той только разницей, что увеличение сопртивления пленок при отжиге в кислороде происходило более интенсивно. Величина йокисл после отжига в кислороде оказалась примерно в 3 раза выше, чем после отжига пленок на воздухе. На основании этих результатов в пленках р - Bio 5Sbi5Te3 были оценены коэффициент диффузии кислорода Z), энергия активации й акт, а также критическая концентрация - / VK. P, при которой окисные прослойки практически полностью обволакивают границы блоков, препятствуя тем самым прохождению по ним тока. [10]
 |
Зависимость толщины непроводящего слоя от времени отжига при Готж - 325 ( 7, 315 ( 2, 2 % 300 ( 3, 3, 200 С ( 5, 5 для bj Teg ( 1 и Р. [11] |
Для подтверждения определяющей роли кислорода в изменении электрофизических свойств пленок р - Bi0j5Sblj5Te3 при отжиге их на воздухе, при тех же температурах был выполнен отжиг толстых пленок в чистом кислороде. Характер изменения электрофизических свойств пленок после отжига в кислороде оказался таким же, как и при отжиге на воздухе, с той только разницей, что увеличение сопртивления пленок при отжиге в кислороде происходило более интенсивно. Величина йокисл после отжига в кислороде оказалась примерно в 3 раза выше, чем после отжига пленок на воздухе. На основании этих результатов в пленках р - Bi0j5Sbij5Te3 были оценены коэффициент диффузии кислорода D, энергия активации е акт а также критическая концентрация Л кр, при которой окисные прослойки практически полностью обволакивают границы блоков, препятствуя тем самым прохождению по ним тока. [12]
Кушне - р о в, Исследование структурных превращений и изменения электрофизических свойств полифенилацетилена в процессе термолиза, Высокомол. [13]
Процессы деформации кристаллической структуры, зарождения и развития дефектов сопровождаются изменением электрофизических свойств металла конструкций. Следовательно, каждая стадия процесса деформирования-разрушения металла оборудования в условиях действия сжимающих и растягивающих усилий, температуры, магнитного поля может быть охарактеризована совокупностью электрофизических параметров, значения которых могут быть измерены. Поэтому для решения проблемы оценки текущего состояния и прогнозирования остаточного ресурса конструкций могут быть использованы связи между электрофизическими свойствами и определяющими уравнениями твердого тела. Установление этих связей позволяет оценивать текущие механические свойства элементов конструкций по измеренным электромагнитным параметрам, а затем, используя расчетный аппарат механики разрушений, осуществить прогноз долговечности любого элемента конструкции. [14]
Процессы деформации кристаллической структуры, зарождения и развития дефектов сопровождаются изменением электрофизических свойств металла конструкций. Следовательно, каждая стадия процесса деформирования-разрушения металла оборудования в условиях действия сжимающих и растягивающих усилий, температуры, магнитного поля может быть охарактеризована совокупностью электрофизических параметров, значения которых могут быть измерены. Поэтому для решения проблемы оценки текущего состояния и прогнозирования остаточного ресурса конструкций могут быть использованы связи между электрофизическими свойствами и определяющими уравнениями твердого тела. Установление этих связей позволяет оценивать текущие механические свойства элементов конструкций по измеренным электромагнитным параметрам, а затем, используя расчетный аппарат механики разрушений, осуществить прогноз долговечности любого элемента конструкции. Электромагнитные методы, в отличие от других физических методов неразрушаюшего контроля, направленных на поиск развитых дефектов, позволяют осуществлять раннюю диагностику, выявляя участки металлических конструкций, наиболее предрасположенных к повреждениям. [15]
Страницы: 1 2