Изменение - электрофизические свойство
Cтраница 2
 |
Зависимость относительного изменения электросопротивления Ge от числа циклов изгибных на-гружений по данным. [16] |
Для того, чтобы окончательно подтвердить высказанное предположение об ответственности диффузионной кинетики вакансий за изменение электрофизических свойств и соответственно за появление актов микропластичности, сделаем соответствующие диффузионные оценки и сопоставим их с полученными металлографическими данными. [17]
В послеростовый период изменения диэлектрических параметров синтетических алмазов при термообработке, очевидно, обусловлены в основном изменением электрофизических свойств включений и термостойкостью самих кристаллов алмаза. [18]
Работа оптоэлектронных приборов основана на принципах электрооптического и фотоэлектрического преобразований, обусловленных генерацией светового излучения при наличии электрического тока в веществе либо изменением электрофизических свойств вещества в результате поглощения им энергии светового излучения. [19]
Третий способ используется в керметных резистивных пленках. Однако изменение электрофизических свойств тонких пленок под длительным воздействием воздуха и влаги остается их наиболее слабым местом. [20]
Для подтверждения определяющей роли кислорода в изменении электрофизических свойств пленок р - В1058Ь15Те3 при отжиге их на воздухе, при тех же температурах был выполнен отжиг толстых пленок в чистом кислороде. Характер изменения электрофизических свойств пленок после отжига в кислороде оказался таким же, как и при отжиге на воздухе, с той только разницей, что увеличение сопртивления пленок при отжиге в кислороде происходило более интенсивно. Величина йокисл после отжига в кислороде оказалась примерно в 3 раза выше, чем после отжига пленок на воздухе. На основании этих результатов в пленках р - Bio 5Sbi5Te3 были оценены коэффициент диффузии кислорода Z), энергия активации й акт, а также критическая концентрация - / VK. P, при которой окисные прослойки практически полностью обволакивают границы блоков, препятствуя тем самым прохождению по ним тока. [21]
 |
Зависимость толщины непроводящего слоя от времени отжига при Готж - 325 ( 7, 315 ( 2, 2 % 300 ( 3, 3, 200 С ( 5, 5 для bj Teg ( 1 и Р. [22] |
Для подтверждения определяющей роли кислорода в изменении электрофизических свойств пленок р - Bi0j5Sblj5Te3 при отжиге их на воздухе, при тех же температурах был выполнен отжиг толстых пленок в чистом кислороде. Характер изменения электрофизических свойств пленок после отжига в кислороде оказался таким же, как и при отжиге на воздухе, с той только разницей, что увеличение сопртивления пленок при отжиге в кислороде происходило более интенсивно. Величина йокисл после отжига в кислороде оказалась примерно в 3 раза выше, чем после отжига пленок на воздухе. На основании этих результатов в пленках р - Bi0j5Sbij5Te3 были оценены коэффициент диффузии кислорода D, энергия активации е акт а также критическая концентрация Л кр, при которой окисные прослойки практически полностью обволакивают границы блоков, препятствуя тем самым прохождению по ним тока. [23]
При концентрациях Rn02 в активном слое около 30 % изменяются кривые зависимости емкости и электрического сопротивления от состава. Поэтому большое увеличение ( в 10 раз) емкости электрода с ростом содержания Ru02 ( до 30 %) не может быть объяснено увеличением поверхности электрода, и связано, по-видимому, с изменением электрофизических свойств активного слоя и, в частности, его электрического сопротивления. [24]
 |
Схема установки Разрезная сфера 300 454. [25] |
При выращивании крупных монокристаллов основные технические трудности связаны с реализацией методов достоверного контроля и поддержания температуры и давления в реакционной зоне ячейки высокого давления. Дополнительные сложности вызывает то, что параметры Р и Т меняются в процессе роста алмаза, поскольку фазовый переход Г - А сопровождается уменьшением удельного объема ( в 1 5 раза), а также изменением электрофизических свойств шихты. [26]
Монокристаллы, полученные методом Чохральского, как правило, неоднородны по составу и электрофизическим свойствам. Величина удельного сопротивления, например, непостоянна по длине и радиусу слитка. В реальном кристалле пространственная решетка всегда в некоторой степени несовершенна, содержит структурные дефекты. Неоднородность, вызывающая изменение электрофизических свойств в монокристалле по длине, определяется основными законами фазовых превращений в многокомпонентных системах. Нужно отметить, что закономерности сегрегационного нарушения свойства достаточно хорошо изучены. Предложен ряд способов, использование которых позволяет получать монокристаллы с равномерными свойствами по длине. Идея этих методов главным образом сводится к поддержанию постоянства состава расплава за счет подпитки его или жидким материалом, или путем расплавления специально приготовленного кристалла. [27]
Наибольший интерес представляют полупроводниковые системы, в которых образуются непрерывные твердые растворы. В этих системах происходит плавное изменение физических свойств в зависимости от состава, что обеспечивает получение полупроводниковых фаз с нужными и воспроизводимыми свойствами. Кроме того, закономерности изменения электрофизических свойств в системах из полупроводниковых веществ исследованы в основном при образовании неограниченного ряда твердых растворов. Классическая полупроводниковая система Ge - Si с неограниченными твердыми растворами впервые в 1939 г. была изучена Штером и Клеммом. Равновесные твердые растворы в этой системе образуются с большим трудом. [28]
Страницы: 1 2