Структура - элемент
Cтраница 1
Структура элементов ( диодов, резисторов, Конденсаторов) должна содержать только те области, на основе которых построен транзистор. Поэтому технологический процесс изготовления кристалла ИС строится с учетом лишь структуры транзистора, а остальные элементы формируются попутно. [1]
 |
Участок кремниевой ИС с МДП-транзистором на сапфировой подложке. [2] |
Структуры элементов 7 ( транзисторов, резисторов) в пленке кремния получают мето-7 дами планарной технологии. На рис. 2.42 схематически изображен участок ИС с МДП-транзистором на сапфировой подложке. Изоляция выполняется с помощью вытравливания эпитаксиальной пленки на всю ее толщину. Затем изготовляются активные элементы. Токи утечки между изолированными таким способом областями практически отсутствуют, а емкости между активными элементами по крайней мере в несколько десятков раз меньше, чем при изоляции р-я-переходом. В итоге быстродействие ИС на сапфировой подложке получается на порядок выше, чем обычных ИС. Особенно заметны преимущества описанного метода изоляции для ИС на МДП-транзисторах: выигрыш в быстродействии достигает почти двух порядков, и МДП ИС по быстродействию становятся сравнимыми с ИС на биполярных транзисторах. Сапфировая подложка может быть заменена шпинелью ( стехиоме-трическое соединение MgO - Al2O3), более близкой к кремнию по своей кристаллической структуре, чем сапфир, и вносящей в кремний меньше примеси. [3]
Структуры элементов, лежащих справа от пограничной линии, характеризуются низкими координационными числами, в то время как для истинных металлов характерна структура плотной упаковки. [4]
Структура элементов ( диодов, резисторов, Конденсаторов) должна содержать только те области, на основе которых построен транзистор. Поэтому технологический процесс изготовления кристалла ИС строится с учетом лишь структуры транзистора, а остальные элементы формируются попутно. [5]
 |
Схема основных составляющих страхования бизнеса. [6] |
Структура элементов, составляющих систему страхования бизнеса, представлена на рис. 4.17. При страховании объектом страхования могут быть как управленческие риски в целом, так и их составляющие в отдельности. [7]
Структура элемента формируется при его проектировании и реализуется технологией его изготовления. [8]
Структура элемента, на котором проводили эти измерения, показана на этом рисунке отдельно. [9]
Структура элементов МПФ соответствует пропорционально-интегрально-дифференциальному ( ТТИД) закону управления. [10]
Структура элемента самоконтроля может быть самой разнообразной. [11]
Структура газогенераторных элементов сходна со структурой водород-кислородных элементов, но электрическая энергия вырабатывается в результате окисления окиси углерода, а не водорода. [12]
Структура элементов сетевой модели описывается ориентированным графом, не имеющим замкнутых циклов. В этой модели может содержаться исключительно большое число ( 10 - 10) вариантов проектируемого объекта, в которых сохраняется неизменным соотношение порядков между входящими элементами. [13]
Структура элементов сетевой модели описывается ориентированным графом, не имеющим ориентированных циклов. В этой модели может содержаться несколько вариантов проектируемого объекта, однако во всех вариантах сохраняется неизменным отношение порядка между входящими элементами. Отношение порядка между элементами проектируемого технологического процесса в перестановочных моделях обычно задается с помощью графа, содержащего ориентированные циклы. Причем все варианты маршрута, проектируемые по перестановочным моделям, различаются порядком между входящими в них элементами. [14]
Структура элементов сетевой модели описывается ориентированным графом, не имеющим ориентированных циклов. В этой модели может содержаться несколько вариантов проектируемого объекта АЬ однако во всех вариантах сохраняется неизменным соотношение порядка между входящими элементами. [15]
Страницы: 1 2 3 4