Структура - элемент
Cтраница 2
Структуру элементов конструкций РЭА необходимо выбирать не только с учетом освоенных данным предприятием технологических процессов, но и с учетом возможной загрузки отдельных его участков и общего уровня его культуры. [16]
Однако структуры элементов подгруппы VIIB оказываются более сложными по сравнению со структурой инертных газов, что обусловлено влиянием геометрического фактора при плотной упаковке несферичных двухатомных молекул. [17]
Из структуры элементов дифференциальной матрицы В следует, что обобщенные перемещения v, u2, ipi и 2 входят в функционал под оператором первых производных, a W и з - под оператором, вторых производных. Поэтому их аппроксимации по элементу и соответствующее им число степеней свободы будут разными. Для существования функционала потенциальной энергии необходимо, чтобы аппроксимации их, uv, j ( il, 2) - обеспечивали существование первых производных. Аппроксимация иг и 3 должна обеспечивать существование вторых производных. [18]
Однако структуры элементов подгруппы VIIB оказываются более сложными по сравнению со структурой инертных газов, что обусловлено влиянием геометрического фактора при плотной упаковке несферичных двухатомных молекул. [19]
Учитывая структуру элементов решетки L, мы можем теперь доказать, что каждый из них имеет в L не более одного дополнения. [20]
Разобрав так все структуры элементов, расположенных в лево. Имеющиеся отклонения от простейших трех типов, не так значительны, чтобы повлиять на этот вывод. [21]
Предельным случаем являются алмазоподобные структуры элементов четвертой группы и структуры типа SiC, а-моди-фикация которого представляет вюртцит, - модификация - сфалерит, а многочисленные промежуточные политипы - различные сочетания этих двух структур. [22]
 |
Аномалия в межатомных расстояниях у Pb, Tl, Al и In. [23] |
Многие из этих структур элементов, удовлетворяя правилу Юм-Розери, одновременно являются молекулярными. Имеющиеся некоторые сложные структуры не нарушают общей гармонии. [24]
Координационное число в структурах элементов в значительной степени определяется природой сил, действующих между частицами. Гранецентрирован-ная кубическая решетка соответствует кубической плот-нейшей упаковке шаров. [25]
Разобрав таким образом все структуры элементов, расположенных в левой части таблицы, можно сделать заключение о большом сходстве всех этих структур между собой. Имеющиеся отклонения от простейших трех типов не так значительны, чтобы повлиять на этот вывод. [26]
Однако выбор состава и структуры элемента i в этом состоянии зависит от решаемой проблемы. [27]
На рис. 1.1 изображена структура элементов монолитной диффузионно-планар-ной интегральной микросхемы. [28]
В зависимости от типа структур элементов, входящих в состав полупроводниковых интегральных схем, различают схемы с биполярными структурами, со структурами типа металл - окисел - полупроводник ( МОП-структура) и совмещенного типа, который включает разные структуры. [29]
Рассматривая с этих позиций структуры элементов подгрупп V-6, VI-6 и VII - Ь, видим, что многие из них, удовлетворяя правилу К8 - N, одновременно являются молекулярными. На рис. 271 этот факт отмечен тем, что правая половина окружности в условных обозначениях сплошная, а левая изображена пунктирной линией, соответствующей структурам с К8 - N. [30]
Страницы: 1 2 3 4