Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Если ты закладываешь чушь в компьютер, ничего кроме чуши он обратно не выдаст. Но эта чушь, пройдя через довольно дорогую машину, некоим образом облагораживается, и никто не решается критиковать ее. Законы Мерфи (еще...)

Структура - вюрцит

Cтраница 2

Расположение частиц в структуре вюрцита таково, что каждый атом одного элемента окружен тетраэдрически четырьмя атомами другого элемента. Таким образом, в отношении ближайшего окружения структуры вюрцита и сфалерита не отличаются. Различие этих решеток состоит в том, что расположение одинаковых атомов в сфалерите такое же, как в кубической плотней-шей упаковке, а в вюрците - как в гексагональной.  [16]

Для кристаллов со структурой вюрцита приведены значения вдоль осей а и с соответственно.  [17]

Структура сходна со структурой вюрцита и отличается тем, что у In2Se3 атомы индия занимают тетраэдрические пустоты так, что один их слой остается полностью свободным.  [18]

Расположение атомов вдоль направления структуры цинковой обманки с зигзагообразной последовательностью тетраэдров ( а и вдоль оси с структуры вюрцита с.| Выбор системы коорди нат в структуре вюрцита.  [19]

Энергии сцепления в структурах вюрцита и цинковой обманки имеют близкие значения. Поэтому некоторые полупроводники группы II-VI, такие как ZnS и CdS, могут кристаллизоваться как в структуре цинковой обманки, так и в структуре вюрцита.  [20]

На рис. 1.27 изображена структура вюрцита, которая относится к гексагональной сингонии. Ее пространственная группа тождественна плотноупакованным гексагональным решеткам, за исключением того, что в ней отсутствует зеркальная плоскость, перпендикулярная оси С. Ось С является полярной, и плоскости 0001 отличаются друг от друга так же, как плоскости 111 и 111 в решетке сфалерита.  [21]

Отметим, что у полупроводников со структурой вюрцита, с более ионным характером связи, таких как ZnO, CdS и CdSe, компоненты электромеханического тензора имеют большую величину, чем у полупроводников со структурой цинковой обманки, и другой знак.  [22]

Модификация J3 - A12S3 имеет структуру типа структуры вюрцита с дефектами в катионной части подрешетки. Способность A12S3 возгоняться без разложения представляет интерес при исследовании свойств пленок этого соединения.  [23]

Модификация 3 - A12S3 имеет структуру типа структуры вюрцита с дефектами в катионной части подрешетки.  [24]

Структуры трех модификаций Ga2Ss.  [25]

В этой структуре, как и в структуре вюрцита, атомы серы находятся в гексагональных плотноупакованных слоях перпендикулярно оси с. Атомы Ga расположены в тетраэдрических позициях, занятых металлом в вюр-ците, но шесть из этих мест в ячейке пустые.  [26]

Йодистое серебро обычно образует гексагональные кристаллы со структурой вюрцита, так называемый p - Agl, в котором атомы иода образуют плотно упакованную решетку, причем каждый атом йота равно удален от 12 остальных. Точно при 145 8 С эти кристаллы обратимо переходят в а-модификацию или высокотемпературную модификацию, в которой координационное число больших ионов иода уменьшается до восьми.  [27]

Соединения с у более 0 74 стабильны в структуре вюрцита, асу ниже этого значения - в структуре сфалерита.  [28]

Таким образом, значения у 0 74 указывают на образование структуры вюрцита, а значения v0 74 - на образование структуры сфалерита.  [29]

Дислокации в гексагональных плотно упакованных кристаллах Дислокации в кристаллах со структурой вюрцита Поле напряжений дислокации.  [30]

Страницы:      1    2    3    4