Cтраница 4
Выращенные на стороне А полупроводников Ga и InBv сульфиды Zn и Cd должны иметь после этого структуру вюрцита; теллуриды Cd и Zn образуют на сфалерите GaBv и InBv структуру вюрцита. [46]
Окислы и сульфиды МО и MS элементов второй группы периодической системы ( кроме ртути) кристаллизуются в одной или нескольких из следующих трех структур: структура каменной соли, структура цинковой обманки и структура вюрцита. [47]
Структура вюрцита сходна со структурой сфалерита, только чередующиеся плоскости 111 ( повернуты на угол 180 вокруг оси [111], что выражается в симметрии ромбоэдрической ( гексагональной) решетки. Структуру вюрцита можно рассматривать как состоящую из двух вставленных друг в друга гексагональных решеток. [48]
Структура вюрцита сходна со структурой сфалерита, только чередующиеся плоскости 111 повернуты на 180 вокруг оси [111], так что получается симметрия гексагональной решетки. Структуру вюрцита можно рассматривать как состоящую из двух вставленных друг в друга плотноупакованных гексагональных решеток. [49]
Из-за важности GaN в настоящее время предсталяем здесь пример такого рода вычислений и их сравнение с эллипсометрическими измерениями ( cj) для модификации этого полупроводника типа вюрцита. Поскольку структура вюрцита - оптически одноостная, для описания оптического поведения GaN нужны две группы диэлектрических функций: одна для Е J с и другая для Е с. На рис. 6.55 представлена ( cj) для Е J с, полученная эллипсометрически для GaN при использовании синхротронного излучения в качестве источника света. Исследуемая эпитаксиальная тонкая пленка, ориентированная перпендикулярно к оси с, не допускает измерений в Е с поляризационной конфигурации. Расчеты показывают, что пик Е отщепленный от Е шестиугольным полем кристалла, для Е с появляться не должен. Вычисления на рис. 6.55 начинаются с аЪ initio псевдопотенциала и включают так называемую коррекцию собственной энергии квазичастицы между возбужденным электроном и оставшейся дыркой плюс экситонное взаимодействие между квазичастицами. [50]
При этом все-таки сохраняется возможность для четырех атомов хлора особенно близкого расположения к водородам данного иона аммония, но имеется и еще четыре атома хлора, отстоящих несколько дальше от водородов. В структуре вюрцита около каждого аниона находятся четыре водорода, по одному от иона аммония в каждом направлении; в структуре хлористого цезия вблизи аниона также находятся четыре водорода, но только половина из восьми анионов оказываются выгодно расположенными относительно катиона. В случае МН4Вги NH4I низкотемпературные формы не относятся ни к типу вюрцита, ни к типу хлористого цезия, и возможно, что в них ион аммония все еще вращается, но только вокруг одной оси. [51]