Трехслойная структура

Cтраница 1

Трехслойная структура, окружающая клетку и называемая у спирохет наружным чехлом, аналогична наружной мембране клеточной стенки грамотрицательных бактерий. Этот чехол окружает так называемый протоплазматический цилиндр, состоящий из пептидогликанового слоя клеточной стенки, ЦПМ и цитоплазматического содержимого. Протоплазматический цилиндр обвивается пучком нитчатых структур - аксиальных фибрилл. [1]

Чувствительностью трехслойной структуры зачастую жертвуют с целью повышения устойчивости среды к коррозии. Это дает возможность применить для записи материалы с высокой точкой плавления, например золото и титан, что способствует увеличению срока службы оптических дисков. [2]

Схемные обозначения транзисторов. [3]

В трехслойной структуре имеются два электронно-дырочных перехода: эмиттерный переход между эмиттером и базой и коллекторный переход между базой и коллектором. В качестве исходного материала транзисторов используют германий или кремний. [4]

Структура биполярных транзисторов типов р-п - р ( а и п-р - п ( б. [5]

Возможны две трехслойные структуры с различным чередованием участков с электронной и дырочной электропроводностью: дырочная - электронная - дырочная и электронная - дырочная - электронная. [6]

Рассмотрим свойства трехслойной структуры, которые позволяют довольно просто разрешить проблему управления переключением многослойных структур с помощью одного управляющего электрода. [7]

Мембрана имеет трехслойную структуру, при этом наружные слои - белковые, а внутренний состоит из липи-дов. Внутри клетки всегда наблюдается повышенное по сравнению с окружающей средой, осмотическое давление. Цитоплазматическая мембрана обеспечивает его постоянство. Кроме того, она является местом локализации некоторых ферментов. [8]

В этой трехслойной структуре теллур и сульфат кадмия, являющийся полупроводником с широкой запрещенной зоной, образует п-р-переход. Наличие п-р-перехода приводит к тому, что электроны в диоде могут двигаться в одном направлении - из индия в сульфат кадмия, затем на анод, в пленку теллура. Переход в обратном направлении затруднен полем п-р-перехода. Работа инжекцион-ного диода напоминает работу полупроводникового и вакуумного электронного диодов. Действительно, электроны инжектируются в высокоомный полупроводник, в котором чрезвычайно мало свободных электронов и ионов, так что ничто не препятствует их прохождению к аноду. При этом движущиеся электроны создают область пространственного заряда, как и в вакуумном диоде, вследствие чего их анодные вольт-амперные характеристики почти тождественны. В то же время для получения односторонней проводимости используется п-р-переход, как и в обычном полупроводниковом диоде. [9]

Минералы с трехслойной структурой ( 2: 1), обычно представители монтмориллонитовой группы, обладают повышенной растворимостью по сравнению с двухслойными глинистыми минералами. Это связано с высокой степенью неупорядоченности кристаллической решетки, обусловленной нестехиометрическими замещениями в их структуре, с небольшой энергией связи между слоями, со способностью образовывать межслоевое пространство, ограничивающееся одноименными по качеству анионными стенками. В него возможно проникновение ионов, выделяющихся в процессе гидратации цемента. Поэтому происходит ослабление структурных связей в кристаллической решетке глины и тем самым создаются благоприятные условия для извлечения из нее реактивных SiO2 и А12О3 с последующим взаимодействием их с гидратирующимся цементом. [10]

Мусковит с трехслойной структурой, практически одноосной, описали Аксельрод и Гримальди ( J. [11]

В настоящее время трехслойная структура стенки со средним слоем из сотопласта недостаточно разработана для того, чтобы ее можно было широко рекомендовать для использования в конструкциях химических резервуаров и аппаратов. При испытании такой конструкции иногда наблюдается повреждение из-за проникновения молекул воды из раствора, находящегося в емкости, в соты. [12]

Для него характерна трехслойная структура пористой среды: первым слоем является фильтровальная перегородка, вторым - предварительный слой вспомогательного вещества, а третьим - слой осадка, состоящий из примесей разделяемой суспензии и добавляемого вспомогательного вещества. [13]

Биполярный транзистор имеет трехслойную структуру ( рис. 38, а) и соответственно три вывода. Среднюю область транзистора называют базой, а крайние - эмиттером и коллектором. Такие транзисторы называют биполярными, потому что перенос тока в них осуществляется носителями заряда двух типов - электронами и дырками. [14]

Тонкопленочные конденсаторы имеют трехслойную структуру: металл-диэлектрик-металл. Испытывались и многослойные конденсаторы, однако из-за высокой стоимости и малого выхода годной продукции многослойные конденсаторы не изготовляют. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5