Cтраница 5
Транзистор представляет собой трехслойную структуру р-п - р - или п-р-я-типа. Оба переходных слоя между р - и n - областями обладают односторонней проводимостью. Ток через каждый из этих слоев может проходить практически в том случае, если потенциал р-области выше потенциала / г-области. [61]
Перестройка схемы включения сканистора по сравнению со схемой рис. 1, состоящая в том, что функции фоточувствительной и делительной шины совмещаются в одном слое [7], позволяет вдвое уменьшить R % благодаря исключению сопротивления одного из внешних слоев цепи сканистора. В этом случае трехслойная структура резко несимметрична: один из внешних слоев может быть сделан сколь угодно толстым, что позволяет, кроме того, значительно поднять механическую прочность прибора. [62]