Cтраница 1
Пленарные структуры изготовляют на общей пластине исходного материала, после чего пластину разрезают и кристаллы монтируют в корпусах общеизвестными способами. Последнее обстоятельство значительно облегчает технологический процесс. [1]
Итеративные и однородные пленарные структуры и соответствующие им графы. [2]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры n - p - п составные усилительные. Предназначены для применения в схемах зажигания автомобилей, схемах управления двигателями. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. [3]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры p - n - р переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. [4]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры n - p - п переключательные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователях. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. [5]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока. Тип прибора указывается на корпусе. [6]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б, КТ506А, КТ506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т506А - 5 выпускается в виде неразделенных кристаллов с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. [7]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Транзисторы 2Т841А - 2Т841В, КТ841А - КТ841Е выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Транзисторы 2Т841А1, 2Т841Б1 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [8]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в схемах вторичных источниках электропитания, усилителях постоянного тока. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [9]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в схемах вторичных источников электропитания, усилителях постоянного тока. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. [10]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры р-п - р переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах. Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, КТ505А, КТ505Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т505А - 5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается на этикетке. [11]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры р-п - р усилительные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения в качестве регулирующих элементов и в высоковольтных усилителях в микротоковых режимах. Транзистор 2Т509А выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т509А - 5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. [12]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры р-п - р переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания. Транзисторы 2Т836А - 2Т836В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Транзистор 2Т836А - 5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. [13]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры р-п - р переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. [14]
Распространение пленарных структур связано в первую очередь с происходящей уже в точоппе ряда лот миниатюризацией С13Ч аппаратуры. [15]