Пленарная структура

Cтраница 3

Кремниевые транзисторы имеют чаще всего эпитаксиально-планарную ( см. рис. 4.4) или пленарную структуру п-р-п-тппа. Планар-ные транзисторы создают в подложке л-типа без эпитакси-ального слоя. [31]

Флексоэлектриче-ские домены. Исходная ориентация ( а и картина распределения директора ( чередование 5 - и Д - деформаций в электрическом поле ( б. [32]

Это понятно, так как большие отрицательные значения Ае приводят к диэлектрической стабилизации пленарной структуры, а при больших Ае 0 происходит переориентация в стабильную гомеот-ропную структуру. [33]

Экспериментальное исследование коэффициента передачи продольного транзистора [1] показало, что при условиях, обычно выполняющихся для пленарных структур, поверхностная рекомбинация слабо влияет на коэффициент передачи, поэтому в проводимых ниже расчетах поверхностная рекомбинация не учитывается. [34]

Развитие пленарной технологии привело к созданию полупроводниковых структур типа металл - диэлектрик - полупроводник ( МДП) и изготовлению на их основе целого класса удобных для физических исследований систем, а также приборов как дискретного, так и интегрального типа с весьма высокими парамет-рамш В настоящее время не только в интегральных микроэлектронных схемах, но и в дискретных приборах в подавляющем большинстве случаев используются именно пленарные структуры диэлектрик - полупроводник, металл - диэлектрик - полупроводник или еще более сложные слоистые системы. [35]

Это семейство кремниевых сигнальных диодов фирмы General Electric объединяет быстродействующие переключательные диоды для схем ЭВМ и схем общего назначения. В этих диодах используется окисная пассивированная пленарная структура. Эта структура обеспечивает сочетание высокой проводимости в прямом направлении, короткого времени восстановления, малой утечки и малой емкости с постоянством характеристик и повышенной надежностью. Диоды выпускают в корпусах двух типов, в миниатюрном корпусе с двойным теплоотводом и в обычном корпусе с миллитеп-лоотводом. [36]

Кроме классической, встречаются переходы с меза и пленарной структурой. [37]

Это обусловлено не только экранированием атома бора, затрудняющим атаку нуклеофилышм агентом, но и большой трудностью перестройки пленарной структуры триалкилбората в тетраадрическую структуру промежуточного комплекса. [38]

К ним прежде всего следует отнести исследования зависимости статических и динамических характеристик, а также некоторых физических параметров активных элементов ПС от топологии, конструкции и степеней легирования Областей полупроводникового кристалла. Для этого используются двумерные распределенные модели активных элементов, которые позволяют учесть траектории растекания токов во всех областях транзистора пленарной структуры и тем самым в полной мере отразить процессы, происходящие как в его активной, так и в пассивной зоне. [39]

Благодаря такой геометрии почти все излучение падает на сферическую поверхность, ограничивающую устройство, почти под прямым углом, что позволяет избежать сильных потерь, связанных с полным внутренним отражением в пленарных структурах. [40]

Транзистор входит в насыщение со смещением коллекторного перехода в прямом направлении. Для сплавных транзисторов работа в области насыщения характеризуется накоплением заряда в основном только в области базы при инжекции носителей из эмиттера и коллектора. Для диффузионных пленарных структур, у которых база легирования сильнее коллектора, при смещении коллекторного перехода в прямом направлении происходит не только инжекция неосновных носителей из коллектора ( для п - р - n - структуры инжекция электронов в базу из коллектора), но и в значительно большей мере инжекция дырок из базы в коллектор, чем и обусловлено накопление заряда в коллекторе при заходе транзистора в область насыщения. [41]

Если электроды ячейки, предварительно обработанные натиранием, дополнительно покрыть слоем поверхностно-активного вещества ( например, лецитина), результирующая ориентация молекул НЖК будет гомеотропной. Ячейка, собранная таким образом, чтобы направления предварительной ориентации были перпендикулярны друг другу, в параллельных поляроидах пропускает свет. В ячейках с u - 20 мкм конечное закрученное состояние ( в поле) оказалось недостаточно стабильным и слой НЖК постепенно переходил в пленарную структуру. [42]

В этой главе при решении задач статики используется уравнение Лапласа, представленное в конечно-разностной форме. Переход в уравнении Лапласа к конечно-разностным представлениям оказывается эффективным в тех случаях, когда возможности аналитического решения ограничены, в частности, при решении задач с нестандартной геометрией. Метод прост в реализации, и уже созданы программы для ЭВМ, с помощью которых можно выполнить предварительный расчет сложных цепей из линий, исследовать влияние такого эффекта, как подтравливание, возникающего при изготовлении пленарных структур. Иногда требуется исследовать распределение заряда лишь в ограниченной области либо определить разность потенциалов только между двумя заданными точками. Получить решение при подобных условиях с использованием обычной конечно-разностной аппроксимации весьма сложно, так как при этом оказываются недопустимо велики затраты машинного времени и повышаются требования к ЭВМ. При детальном анализе обычно приходится работать с густыми сетками, что связано с повышением объема памяти и быстродействия ЭВМ. [43]

На практике применяется громадное разнообразие тппов и классов фильтрующих устройств. Среди них наиболее миниатюрными являются, по-видимому, фильтры на диэлектрических резонаторах ( с. Это объясняется тем, что с увеличением числа резонаторов объем фильтра увеличивается за счет роста числа слоев диэлектрика, но при этом объем корпуса и выводов энергии сохраняется. При достаточно тонких слоях диэлектрика ( d 0 5 мм) объем фильтра в целом не изменяется, однако в пленарных структурах это не выполняется. [44]

На рис. 7.30 в поперечном сечении показаны некоторые продольно-однородные структуры, называемые планарными. Полосковая ( мик-рополосковая) линия ( а) представляет собой металлическую полоску, нанесенную на диэлектрический слон, подложку; последняя, в свою очередь, располагается на плоском металлическом экране. Экран при этом подобен прямоугольному волноводу; его контур показан штриховой линией. Полосковых проводников может быть несколько ( б); в этом случае говорят о связанных полосковых линиях. Подложка иногда не лежит на экране ( в) н называется подвешенной. Следующая структура ( г) - - это щелевая линия, называемая при наличии экрана волноводно-щелевой. Пленарные структуры могут быть многослойными и многоуровневыми. Имеется в виду много-слойность диэлектрика и размещение металлических элементов на различных границах раздела слоев. [45]

Страницы: 1 2 3