Гребенчатая структура

Cтраница 2

На рис. 1.21 покачана схема многоэмнттерного транзистора гребенчатой структуры. На ннзкоомный слой полупроводника 1, используемого в качестве вывода коллектора, нанесен слой того же полупроводника 2, имеющего большее активное сопротивление. Высокоомный слой полупроводника необходим для увеличения пробивного напряжения и уменьшения емкости коллекторного перехода. [16]

Я - Поглощение электрически поляризованной плоской волны гребенчатой структурой в слоистой диэлектрической среде. [17]

Я - Отражение электрически поляризованной плоской волны от неидеально проводящей скошенной гребенчатой структуры. [18]

Эквивалентность ключевой задачи § 52 и задачи о гребенчатой структуре или о волноводном разветвлении показана в статье 35, где рассмотрены и другие случаи эквивалентности диффракционных задач. VIII навеяны статьей 35; они показывают, что задача 2 к гл. [19]

Как видно из рис. 11.17, основная волна в гребенчатой структуре обеспечирает значительное замедление лишь в узкой полосе частот в режиме, близком к четвертьволновому резонансу щелей. Таким образом, глубина щелей / должна обычно составлять несколько менее четверти длины волны в свободном пространстве. Гребенке присуща значительно более сильно выраженная дисперсия, чем спиральной системе. Расчеты показывают, что сопротивление связи гребенки также сильно изменяется в зависимости от частоты и увеличивается с ростом замедления волны. [20]

Рассмотреть частный случай структуры, описанной в задаче 4.8. Пусть гребенчатая структура, изображенная на рис. 4.25, возбуждается конечным числом волноводов. Такая структура может быть использована для имитации конечной фазированной сканирующей решетки, и, следовательно, эта задача имеет практический интерес. [21]

Следует отметить, что имеется ряд работ, в которых теория гребенчатых структур строится, исходя из бесконечной системы линейных уравнений ср. Грина для искомой функции и для системы вспомогательных функций); в работая 28 и 29 рассматриваются волны, поля ризованные параллельно краям полуплоскостей; для таких волн приведено много численных результатов. Полученное в работе 30 характеристическое уравнение эквивалентно нашему уравнению (49.113), а численные результаты: ( менее полные, чем у нас), согласуются с нашими; работы 30 и 27 выполнены независимо. [22]

Величина определяет замедление основной in ростр аист-венной гармоники ( ttQ) в сложной поверхностной волне, распространяющейся над гребенчатой структурой. [23]

Зависимость А от q const.| Зависимость Д. от / const. [24]

Таким образом, данный метод позволяет рассчитывать достаточно просто и достаточно точно свойства медленной электромагнитной волны, распространяющейся над гребенчатой структурой. [25]

Преобразователи типа гребенчатых структур. [26]

На пьезопластину с резонансом по толщине ( в рассматриваемом случае в качестве пьезоматериала использовался ПВДФ) нанесены электроды в виде гребенчатой структуры. Для получения короткого импульса необходимо излучать спектр частот. Преобразователь типа гребенчатой структуры излучает волны сразу в двух противоположных направлениях, поэтому его обычно помещают вблизи края ОК. [27]

Гребенчатая структура была также применена [438] на частоте 3 Ггц при использовании рубина с ориентацией 90; структура, состоящая из 100 секций, давала усиление 10 дб в полосе частот 90Мг, причем температура ванны составляла 4 2 К - Для обеспечения высокой степени взаимности с одной стороны гребенки был расположен брусок поликристаллического граната, вырезанный таким образом, чтобы были выполнены условия ферромагнитного резонанса. Гребенка длиной 47 6 мм была применена [329] в нескольких перестраиваемых мазерах. При рабочем угле 90 по мере уменьшения частоты сигнала матричные элементы становятся все в большей степени линейно-поляризованными, и можно получить значительное увеличение коэффициента усиления, располагая рубиновый материал по обеим сторонам гребенки. Изменяя частоту накачки и приложенное поле, можно перекрыть без механической подстройки диапазоны 1 12 - 1 37; 1 85 - 2 15 и 2 1 - 2 4 Ггц. Был разработан также другой тип мазера бегущей волны для 6 Ггц [162], а в мазере на частоте 9 6 Ггц была применена лестничная линия. [28]

Входные ( а и выходные ( б вольт-амперные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. [29]

Эмиттер имеет гребенчатую структуру с общей протяженностью периметра 156 мм. [30]

Страницы: 1 2 3 4