Гребенчатая структура

Cтраница 3

Это область, в которой усталостные бороздки не выявляют, тем более для высокопрочных сталей. Двумерные преобразования Фурье от гребенчатой структуры излома с усталостными бороздками позволяют найти не только статистически преимущественный период в направлении развития трещины, шаг усталостных бороздок, но и наиболее объективно определить периоды по большому количеству одномерных Ф - спектров. [31]

Обычно в простейшей, поласковей конструкции отношение Z / L трудно сделать более 100 из-за различных перекосов при фотолитографии. Однако, используя змейковую или гребенчатую структуру ( см. рис. 4 - 35), равносильную параллельному соединению многих транзисторов, удается разработать приборы на токи в несколько ампер и мощности в десятки ватт. Крутизна таких приборов составляет сотни миллиампер на вольт и более. [32]

Формулы (46.15) показывают, что при Ро 7 все коэффициенты Дп обращаются в нуль. Этот случай соответствует нормальному падению на гребенчатую структуру, когда волна без какого-либо возмущения приходит в систему волноводов [ ср. [33]

Условное сворачивание плоского акустического поля вокруг трубы. [34]

Отмечено, что для возбуждения изгибных мод целесообразно применять несимметричную систему преобразователей, например в виде полукольца или кольца с разными задержками времени между элементарными преобразователями. Применяют, как правило, наклонные преобразователи или гребенчатые структуры. [35]

В других структурах эмиттер состоит из узких полосок, внутри которых расположены контакты базы. Широкое применение получила полосковая структура, появившаяся в результате усовершенствования гребенчатой структуры, применявшейся в первых типах мощных транзисторов на частоты до 100 Мгц. [36]

В целом устройства на элементах СВЧ с сосредоточенными параметрами имеют меньшие добротности, ЧСМ ИХ прототипы на отрезках полосковых линий передачи, но правильный выбор схем позволяет эту разницу минимизировать. Конденсаторы с сосредоточенными параметрами, имеющие емкость доли пи-кофарад, выполняются в виде встречно направленных гребенчатых структур. [37]

Рассмотрим на простом примере возможности одномерного преобразования Фурье. При считывании с растрового электронного микроскопа ( РЭМ) в ЭВМ строки изображения перпендикулярно гребенчатой структуре излома фиксируется профиль сигнала, имеющего соответствующую периодичность. Предположим, шаг усталостных бороздок однороден в пределах рассматриваемой фасетки излома, его величина меняется пренебрежимо мало и сигнал от рассматриваемой периодической структуры близок к синусоидальному. В этом случае преобразование Фурье от строки изображения с таким сигналом будет умещаться в строку изображения. Таким образом, по преобладающим гармоникам в спектре Фурье можно сделать вывод о преобладающем размере периодических структур на исследуемом участке. Если на изучаемой фасетке излома имеют место две периодические структуры в виде усталостных бороздок с двумя разными величинами, то в спектре Фурье с такой фасетки будут выявлены два пика. Причем важно подчеркнуть, что совершенно не важно, как расположены бороздки одного и того же шага в пределах фасетки излома и как они чередуются: сначала могут идти структуры одного размера, потом другого. Шаг бороздок или период регулярной структуры может распределяться в произвольных комбинациях. Таким образом, Фурье-анализ позволяет проводить интегральное метрологическое исследование периодических структур без измерения каждого отдельного шага усталостных бороздок. [38]

Гребенчатая структура контактов фотопроводящей сенсорной матрицы на a - Si. Н. [39]

Отсюда следует, что время срабатывания a - Si: Н - фотопроводника примерно в 10 раз меньше, чем при использовании CdS. На рис. 7.1.5 показан линейный, датчик из 1728 элементов длиной 216 мм, использующий гребенчатую структуру А1 - контактов. На рисунке отдельные контакты показаны в верхней части, а общий контакт - в нижней. Зазор между контактами равен 10 мкм. [40]

Эквивалентная схема двухрезо - ей волны Дальнейшее. [41]

Каждый штырь в такой системе подобен заземленному четвертьволновому вибратору. У основания штыря магнитное поле описывается силовыми линиями в виде концентрических окружностей и по разные стороны гребенчатой структуры образуются области с круговой поляризацией разных знаков. Это означает, что условия эффективного взаимодействия движущейся от входа волны с веществом, а следовательно, и интенсивного индуцированного излучения могут быть получены лишь при размещении активного вещества по одну сторону гребенки. В то же время отраженная волна, движущаяся ко входу, образует со стороны активного вещества поле, знак поляризации которого неблагоприятен; энергия этой волны поглощается активным веществом. За счет этого эффекта достигается ослабление отраженной - волны на 15 - 20 дб. [42]

Молекулярная упаковка додециламмоний бромида в направлении Ь. Большие.| Обзор кристаллических структур ПАВ. [43]

Оба этих ПАВ показывают распространенные особенности бислойной упаковки, найденные и описанные в работах для монокристаллических структур ПАВ. В случае моногидрата Д С углеводородные хвосты организовываются по типу хвост к хвосту в отличие от структуры ДАВ, где углеводородные хвосты укладываются в виде гребенчатой структуры. Упаковки типа голова к голове и хвост к хвосту определяют неполярные или гидрофобные участки, области, занятые углеводородными хвостами, а концевые полярные группы определяют полярные или гидрофильные участки. Полярные области дают возможность включения молекулы воды ( гидратационной), которая обнаруживается во множестве различных полиморфных ПАВ. Степень гидратации концевых полярных групп ( голов) говорит о возможности варьирования эффективного размера концевой полярной группы и площади ее проекции на плоскости, параллельной к бислою. Эффективный размер концевой группы должен соотноситься с дополнительной степенью наклона цепей. Маленький объем концевой полярной группы говорит о необходимости незначительного наклона цепей. При увеличении эффективного размера и взаимного отталкивания концевых групп цепи должны иметь больший наклон для более плотного заполнения пространства гидрофобного участка. [44]

На другом прозрачный электрод наносится фоторезистивный слой сульфида кадмия с центрами чувствительности из атомов меди CdS: Си, а на него напыляется металлический электрод МЭ гребенчатой структуры. Тонкопленочный люминофор - светоизлучатель СИ оптопары может работать при малом напряжении постоянного тока. Свечение обусловлено возбуждением атомов марганца в люминофоре горячими электронами, образующимися в гетеропереходе p - Cu2S - n - ZnS ( Mn) в поверхностном слое пленки. Световой поток распространяется в направлении фотоприемника оптопар ФП фоторезистора через стеклянную подложку и прозрачные электроды, образующие оптическую среду. [45]

Страницы: 1 2 3 4