Планарная структура

Cтраница 1

Планарные структуры ( кремний на диэлектрике) имеют более совершенную кристаллическую структуру приповерхностного слоя и менее критичны к высокотемпературным термообработкам по сравнению с гетероструктурами. [1]

Типовые разрезы различных вариантов четырехслойных приборов. [2]

Планарная структура, показанная на рис. 3, а, имеет ограниченное место для присоединения выводов к центральным областям, поэтому она пригодна только для диодного тиристора. В эквивалентной схеме для этого случая можно пренебречь сопротивлением rg, но необходимо учесть емкость Ск б и напряжение пробоя коллекторного перехода Я2) так как они определяют максимальное напряжение запирания при переходных процессах и на постоянном токе соответственно. [3]

Планарные структуры изготовляют на общей пластине исходного материала, припаивают к ним эмиттерные и базовые выводы, после чего пластину разрезают и кристаллы монтируют в корпусах общеизвестными способами. Последнее обстоятельство значительно облегчает технологический процесс. [4]

Планарная структура пептидной связи предполагает, что почти все образующие ее атомы находятся в одной плоскости. [5]

Такая планарная структура формально антиароматична и, следовательно, является потенциальным одноэлектронным донором. [6]

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в линейных и ключевых источниках электропитания, в усилителях постоянного тока. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [7]

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. [8]

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в переключательных схемах, во вторичных источниках электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. [9]

Тиристоры кремниевые планарные структуры р-п-р-п гибридные триодные незапираемые пороговые. Предназначены для применения в релаксационных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора приводится на корпусе. [10]

В планарных структурах границы р-п переходов выходят на поверхность кристалла под слоем пленки окисла. [11]

Структура монослоя графитоподобного О С. [12]

Теоретические модели планарных структур C3N4 базируются на упоминавшейся аналогии с углеродными аллотропами: алмаз - графит. Каждый атом углерода имеет трехкратную координацию N3 ( в слое); атомы азота находятся в двух неэквивалентных позициях - двух - и трехкратно координированных. [13]

Использование защиты против образования избыточных зарядов вблизи поверхности кристалла. [14]

Одним из преимуществ планарной структуры переходов диодов или транзисторов является возможность применения специфических защитных мер против образования избыточных зарядов вблизи поверхности кристалла, а также их влияния на параметры прибора. На рис. 2 - 14 а иллюстрируется образование инверсионного слоя а коллекторной области кремниевого р-п-р-траи - зистора. На рис. 2 - 14 6 показана та же структура, но имеющая охранное кольцо и экранирующий электрод. [15]

Страницы: 1 2 3 4