Планарная структура

Cтраница 2

Тонкопленочный конден - е тангенс угла диэлектриче. [16]

Пленочные конденсаторы обычно имеют планарную структуру, получаемую осаждением трех пленочных слоев: проводник-изолятор - проводник. Емкость прибора такого типа прямо пропорциональна площади электродов и диэлектрической проницаемости изолятора и обратно пропорциональна расстоянию между пленками. Таким образом, для получения максимальной емкости при данной площади электродов необходим диэлектрик с высокой диэлектрической постоянной и минимальное расстояние между электродами. [17]

Свободный нитратный ион имеет симметричную планарную структуру. Полиатомный лиганд NO3 может проявлять различную дентатность. Достоверно известны комплексы, в которых он является моно - и бидентатным. [18]

На рис. 6.6.5 приведены схемы основных планарных структур, содержащих сегнетоэлектрическую пленку, которые находят применение в СВЧ устройствах. Первые четыре схемы поперечных сечений планарных структур в раной мере относятся как к линиям передачи, так и к планарным конденсаторам, которые по существу представляют собой отрезки линии передачи с длиной много меньшей длины волны. [19]

Аминоацетилацетонаты хрома и алюминия имеют планарную структуру с делокализованными двойными связями в цикле. Летучесть этих jj - кетоаминатов различна, что может быть использовано для их разделения и количественного определения. Хроматограммы могут быть интерпретированы по высотам пиков. В качестве стандартного вещества применяют стандартные растворы хелатов амино-ацетилацетонатов алюминия и хрома. [20]

Выводы после термокомпрессии не должны касаться планарной структуры и боковых ребер транзистора. [21]

Подробнее вопрос о причинах, препятствующих получению меза-планарных и планарных структур большой площади, будет рассмотрен в следующем параграфе. [22]

Известно, что в пленке двуокиси кремния, покрывающей планарные структуры, может создаваться фиксированный положительный заряд. Наличие на поверхности SiO2 слоя P2O5 SiO2 создает в этом участке избыточную концентрацию ионов кислорода, препятствующую их диффузии от поверхности кремния наружу. [23]

Структура р-п - р пленарного транзистора с защитным кольцом р-типа. [24]

В результате появляется возможность значительного уменьшения электрического поля у поверхности планарной структуры и повышения ее пробивного напряжения до значений, близких к f / проб аналогичной ме-за-структуры. [25]

Планарная технология - совокупность базовых технологических операций, которые позволяют получать плоские планарные структуры в полупроводниковом материале ( пластине) методом локальной диффузии или эпитаксии через защитный маскирующий слой, полученный фотолитографией. [26]

Надежность и выход годных ИС с многослойной металлизацией существенно повышается в результате применения планарной структуры многоуровневых соединений, в которой в качестве изолирующего слоя могут быть использованы формируемые с помощью пиролиза пленки окиси алюминия или полиамидные смолы. [27]

Резонатором, например, может быть любая металлическая полость, какое-либо диэлектрическое тело, система зеркал, планарная структура и пр. [28]

Модель транзистора принципиально можно выбрать из уже разработанных моделей дискретных транзисторов и затем модифицировать ее с учетом особенностей интегральной планарной структуры. В эквивалентной схеме эти добавления влекут за собой в основном увеличение последовательного сопротивления коллектора, что связано с наличием контакта для области коллектора на поверхности структуры и с появлением емкости перехода коллектор-подложка, что вызвано наличием обратно смещенного / 7-п-перехода, изолирующего транзистор от других элементов схемы. [29]

Различие может быть объяснено строением координационного комплекса, имеющего в случае аминосо-единений тетраэдрическую, а в случае оксикислот - планарную структуру. [30]

Страницы: 1 2 3 4