Зонная структура

Cтраница 1

Зонная структура Bi2Te3 и Bi2Se3. ( Для Bi2Te3 6 0 03 эв, бр 0 02 эв.| Анизотропия проводимости Bi2Te. i.| Зависимость удельной проводимости Bi2Te3 от температуры ( типичные образцы р-и п-типа. [1]

Зонная структура - прямая; экстремумы зон расположены на плоскостях отражения зоны Бриллюэна. Вблизи экстремумов поверхности постоянной энергии в обеих зонах близки к эллипсоидам вращения. [2]

Зонная структура объясняет фотопроводимость изоляторов при облучении ультрафиолетовым светом. Для возникновения фотопроводимости необходимо только, чтобы падающий свет обладал такой частотой v, при которой hv было бы по меньшей; мере равно величине энергетической щели между потолком занятой зоны и низшей незанятой зоной. Тогда при поглощении света электроны перейдут в полосу проводимости, где они могут двигаться под воздействием электрического поля. [3]

Вычисленные и экспериментальные данные по анизотропии подвижностей носителей тока для комплекса антрацен - тринитробензол при комнатной температуре ( ц2 цьь, а 9 - угол между осью а и компонентой. [4]

Зонная структура для избыточных электрона и дырки в кристаллическом комплексе антрацен - тринитробензол. [5]

Зонная структура для избыточных электрона и дырки в кристалле имидазола. [6]

Пропорциональная зависимость между шириной запрещенной зоны в т. Г при 0 К и эффективной массой электронов проводимости тен в двухком-понентных полупроводниках AIHBV с минимумом ширины запрещенной зоны в т. Г. Но т - масса покоя электронов в вакууме. Следовательно, подвижность электронов проводимости почти обратно пропорциональна ширине запрещенной зоны в т. Г. [7]

Зонная структура меняется линейно по отношению к изменению состава, что в значительной мере связано с изменениями постоянной решетки. В произвольном случае положение валентной зоны является общим для полупроводников группы AinBv. Следовательно, положение зоны проводимости в полупроводниках AIUBV, как это рассмотрено выше, линейно связано с составом полупроводникового соединения. При изменении состава также изменяется ширина запрещенной зоны. [8]

Зонная структура этих кристаллов имеет несколько более сложный характер и мы ее здесь не будем подробно рассматривать. [9]

Зонная структура гетероэпитаксиальных слоев РЬТе n - типа и р-типа - Физика и техника полупроводников, 1982, 16, вып. [10]

Зонная структура вытекает из более общих положений, чем периодичность электрического поля в кристалле, а именно, из дискретного характера спектров, образующих кристалл атомов и молекул. [11]

Зонная структура Bi2Tes и Bi Se3. ( Для Bi2Te3 6П0 03 эв. Ър 0 02 эв.| Анизотропия проводимости Bi2Tes.| Зависимость удельной проводимости Bi2Te3 от температуры ( типичные образцы р-и п-типа. [12]

Зонные структуры, найденные с помощью МЭП в 1960 - х и 1970 - х годах, используются до сих пор. Кроме того, с помощью МЭП были получены первые диаграммы электронной плотности заряда в кристаллах. На этих диаграммах видны ковалент-ные и ионные связи, и, следовательно, в них содержится значительная информация о структуре. С помощью расчитанных по МЭП энергетических уровней и волновых функций были с большой точностью определены оптические постоянные, плотности состояний и многие другие свойства кристаллов. [14]

Зонная структура позволяет удобно классифицировать твердые тела как проводники, полупроводники и изоляторы. Такое представление позволило нам также качественно предсказать, каковы удельные проводимости всех трех типов твердых тел и как они меняются с температурой. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5