Зонная структура

Cтраница 2

Зонная структура вытекает из более общих положений, чем периодичность электрического поля в кристалле, а именно, из дискретного характера спектров, образующих кристалл атомов и молекул. [16]

Зонная структура обобществленных кристаллом электронов вполне закономерно является промежуточной между структурой дискретных уровней электрона в изолированном атоме и непрерывным спектром значений энергии для свободного электрона. Движение электрона в изолированном атоме пространственно ограничено размерами атома; движение обобществленного электрона в кристалле пространственно ограничено размерами кристалла ( электрон свободен, но лишь в пределах кристалла); движение свободного электрона пространственно не ограничено. [17]

Зонная структура и механизм рассеяния в графите обусловливают электрические свойства, которые во многих отношениях являются промежуточными между свойствами-полупроводников и металлов. Кроме того, энергетические поверхности и времена релаксации проявляют большую анизотропию: в чешуйках монокристаллов сопротивление вдоль оси с на 2 или 3 порядка выше, чем вдоль основного плана. По этим двум причинам мы предполагаем, что сопротивление графитных материалов при комнатной температуре очень чувствительно к таким факторам, как содержание примесей, степень предпочтительной ориентации и совершенство кристаллов. Действительно, данные, приведенные на рис. 4, подтверждают это мнение. [18]

Зонная структура арсенида индия, как оказалось, сходна с зонной структурой антимонида индия. [19]

Зонная структура кубического нитрида бора была получена теоретически Клайнманом и Филлипсом [26] из зонной структуры алмаза методами теории возмущений. Максимум валентной зоны остается в центре зоны Бриллюэна, но минимум зоны проводимости располагается на границе зоны Бриллюэна в направлении оси [100] ( фиг. Брнллюэна; однако потолок валентной зоны понижается на гораздо большую величину. [20]

Зонная структура селена [246] очень похожа на зонную структуру теллура. Дисперсия в направлении / С у селена значительно меньше, чем у теллура, что отражает меньшее межмолекулярное взаимодействие, связанное с большей величиной отношения г21г в кристаллах селена. [21]

Температурная зависимость подвижности электронов [ ( в направлении с для монокристаллов нафталина. [22]

Зонная структура графита обладает целым рядом особенностей. Естественно, что это вещество характеризуется сильной анизотропией свойств, поскольку прочность связи между атомами углерода заметно различается вдоль и перпендикулярно двумерным слоям. [23]

Зонные структуры карбидов и нитридов нельзя рассматривать в рамках модели единой жесткой полосы, как было предложено Бильцем. Если модель жесткой полосы применима, то изменение электрических и магнитных свойств, вызванное отклонением от стехиометрии, должно объясняться только параметром квэ. Результаты экспериментальных исследований, обсужденные в гл. Эти результаты показывают также, что роль металл - неметалл-взаимодействий и направление электронного перехода между металлом и неметаллом в карбидах и нитридах различны. [24]

Зонная структура Лая согласуется с результатами измерений по оптическому отражению; зонная модель Эрна и Свитендика не дает хорошего согласия с этими данными. Измерения низкотемпературной теплоемкости в некоторых нестехиометрических карбидах [20] также указывают на наличие электронного перехода от атомов углерода в d - полосы. [25]

Зонная структура диэлектрика, например углерода ( алмаз.| Положительные и отрицательные носители заряда. [26]

Зонная структура полупроводников аналогична зонной структуре диэлектриков, и лишь ширина запрещенной зоны не так велика. По крайней мере ньк - ггсрая часть электронов обладает достаточным запасом тепловой энергии, чтобы перейти в пустую зону. [27]

Зонная структура контакта металл - полупроводник - типа схематически изображена па рис. 15.2. При установившемся равновесии в каждом таком контакте уровни Ферми по обе стороны находятся гга одинаковой высоте. Фе ши расположен па глубине U ниже дна зоны проводимости. Для того чтобы электроны перемещались через контакт слева направо, им необходима энергия, позволяющая перейти из валентной зоны метал та в зону проводимости полупроводника, и дополнительная энергия, равна 3 / 2& 7 соответствующая кинетической энергии свободных электронов. [28]

Подобная зонная структура имеет место в германии, кремнии, арсениде галлия и других полупроводниках. [29]

Зонные структуры полупроводников и диэлектриков таковы, что валентная зона при нулевой температуре полностью заполнена электронами и ближайшая расположенная выше разрешенная зона ( зона проводимости) отделена от нее запрещенной зоной. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5