Cтраница 2
![]() |
Рост кристалла, содержащего винтовую дислокацию. [16] |
Рост зародыша, имеющего вполне совершенную структуру, вряд ли вообще возможен, ибо весьма мала вероятность того, что выпавший из раствора атом удержится ла поверхности кристалла, так как этот атом имеет лишь одну связь с кристаллом. [17]
![]() |
Схема процессов и условий, реализуемых при деформации в твердом состоянии. [18] |
Производство сверхориентированных волокон с совершенной структурой и со значениями модуля Юнга, близкими к теоретическим, требует установления взаимосвязи между параметрами экстру-зионного процесса и свойствами получаемых волокон. [19]
![]() |
Теплопроводность бериллия, вт / см-град. [20] |
Значит, материал с совершенной структурой, что характерно для высокочистого бериллия или материала, облученного при высокой температуре, имеет. Обратная картина характерна для материала, загрязненного примесями либо содержащего радиационные дефекты, зафиксированные при низкотемпературном облучении. [21]
Для маленького кристалла, обладающего совершенной структурой, явление экстинкции ничтожно мало и его можно оставить без внимания. Для более крупных кристаллов начинают проявлять себя эффекты динамического рассеяния в тем большей степени, чем крупнее когерентно рассеивающие области кристалла. Однако в тех случаях, когда первичная экстинкция играет сравнительно малую роль, можно пользоваться формулой интенсивности для мозаичного кристалла, в которую вводится поправка на первичную экстинкцию. [22]
Получить эпитаксиальные слои Si с совершенной структурой при температуре ниже 1050 С, используя обычные методы подготовки подложек, не удается. Автор использовал двухтемпературную методику роста: осаждение начинали при температуре 1200 - 1250 С, спустя 1 мин, не прерывая осаждения, температуру понижали, и наращивание слоя продолжалось. Совершенство структуры слоев, полученных таким методом, объясняется тем, что осаждение происходит на свежевыращенную поверхность кремния, не имеющую загрязнений. [23]
![]() |
Схема установки для выращивания монокристаллов А1 с использованием в качестве затравки слюды.| Условия получения монокристальных металлических пленок. [24] |
Монокристальные пленки небольшой толщины с весьма совершенной структурой необходимы, например, для электронных интерферометров [5] для полупроводниковой техники ( 6, 7 ], для опытов по неупругому рассеиванию электронов. [25]
Полимеры с менее упорядоченной и менее совершенной структурой легче деформируются. Для волокон из такого полипропилена могут быть достигнуты более высокие степени вытягивания и ориентации, а следовательно, и более высокие физико-механические свойства, чем для волокон из полимера, обладающего более совершенной структурой. [26]
Таким образом, взаимодействие каолинита с совершенной структурой и четкой огранкой крупных частиц и гидрослюды, характеризующейся некоторым несовершенством и изометричной округлой формой мелких частиц, позволяет получить коагуля-ционные структуры высокой стабильности и с механическими свойствами, значения которых соответствуют критериям устойчивости. [27]
Анализ микроструктуры [251] показывает, что наиболее совершенной структурой обладают образцы, полученные спеканием ферритовых порошков-продуктов ра. [28]
Регулярные полимеры при определенных условиях могут образовать совершенные структуры - полимерные монокристаллы. [29]
Если предположить, что ферриты не имеют совершенной структуры обращенной шпинели, то часть ионов Ме2 переходит из положения В в положение А, а чтобы компенсировать этот переход, должен иметь место также обратный переход части ионов Fe3 из положения А в положение В. [30]