Структуроскоп
Cтраница 1
Структуроскоп позволяет обнаруживать распределение отклонения диэлектрической проницаемости от средней величины по образцу и ее анизотропию. [1]
Структуроскопы позволяют определять физико-механические свойства материалов путем измерения электрофизических параметров материала Принцип действия электромагнитных структуроскопов основан на использовании корреляционной зависимости между магнитными, электрическими и другими свойствами материала и его физико-механическими свойствами. [2]
 |
Микропроцессорный магнитный структуро-скоп СМ-401.| Коэр-цитиметр импульсный микропроцессорный КИМ-2. [3] |
Структуроскоп имеет жидкокристаллический дисплей с подсветкой, клавиатуру, позволяющую вводить информацию о параметрах контроля и код оператора, контроллер, выполняющий функции управления процессами измерения магнитных характеристик, автоматического накопления информации и передачи ее в компьютер. [4]
Структуроскопы позволяют определять физико-механические свойства материалов путем измерения электрофизических параметров материала. Принцип действия электромагнитных струкгуроскопов основан на использовании корреляционной зависимости между магнитными, электрическими и другими свойствами материала и его физико-механическими свойствами. [5]
 |
Микропроцессорный магнитный структуро-скоп СМ-401.| Коэр-цитиметр импульсный микропроцессорный КИМ-2. [6] |
Структуроскоп имеет жидкокристаллический дисплей с подсветкой, клавиатуру, позволяющую вводить информацию о параметрах контроля и код оператора, контроллер, выполняющий функции управления процессами измерения магнитных характеристик, автоматического накопления информации и передачи ее в компьютер. [7]
Структуроскоп ВС-11П отличается от прибора ВС-10П наличием блоков выделения амплитуды третьей гармоники основной частоты, а также блоков автоматической компенсации начального напряжения ВТП. Частота тока возбуждения и конструкция ВТП в обоих приборах одинаковы. В приборе ВС-11П значительно ниже уровень нелинейных искажений кривой тока возбуждения ВТП ( около 0 3 %), что необходимо для использования информации, заключенной в третьей гармонике. [8]
Структуроскоп ВЭ-24НЦ применяется для контроля деталей из немагнитных металлов путем измерения удельной электрической проводимости металла или отклонения этого параметра от заданного значения. [9]
Структуроскопами можно выявлять неоднородные по структуре зоны, оценивать глубину и качество механической, термической и химико-термической обработки на разных стадиях технологического процесса. С помощью структуроскопов можно определять и степень механических напряжений, выявлять зоны усталости, контролировать качество поверхностых слоев. [10]
Высокочастотными структуроскопами контролируют качество ферромагнитных материалов при их поверхностном упрочнении, а также твердость листового материала. К поверхностному упрочнению относятся наклеп ( нагартовка), поверхностная высокочастотная закалка и химико-термическая обработка. Иногда для этого используют бор, алюминий и другие элементы. [11]
Высокочастотными структуроскопами контролируют качество ферромагнитных материалов при их поверхностном упрочнении, а также твердость листового материала. К поверхностному упрочнению относятся наклеп ( нагартовка), поверхностная высокочастотная закалка и химико-термическая обработка. Содержание углерода в поверхностном слое быстро уменьшается с увеличением глубины слоя по закону, близкому к экспоненциальному. [12]
 |
Прибор типа ВС-10П. [13] |
Высокочастотными структуроскопами контролируют качество ферромагнитных материалов при их поверхностном упрочнении. К поверхностному упрочнению относятся наклеп ( нагартовка), поверхностная высокочастотная закалка и химико-термическая обработка. Иногда для насыщения используют бор, алюминий и другие элементы. [14]
Высокочастотными структуроскопами контролируют качество ферромагнитных материалов при их поверхностном упрочнении, а также твердость листового материала. К поверхностному упрочнению относятся наклеп ( нагартовка), поверхностная высокочастотная закалка и химико-термическая обработка. Содержание углерода в поверхностном слое быстро уменьшается с увеличением глубины слоя по закону, близкому к экспоненциальному. [15]
Страницы: 1 2 3 4