Сужение - запрещенная зона
Cтраница 1
Сужение запрещенной зоны учитывается множителем ехр ( Дфо / фт) и показывает, во сколько раз возрастает концентрация неосновных носителей заряда ( дырок) в эмиттере за счет этого эффекта. Во столько же раз возрастет и паразитный ток / Эр, приводящий к уменьшению коэффициента инжекции. [1]
 |
Диаграмма зон в координатах (., k для германия. [2] |
Это соотношение для концентрации примеси - 1019 см-3 дает сужение запрещенной зоны на величину Syp ( N) порядка 0 15 эв с одной стороны. [3]
Так как GaAs имеет высокий коэффициент поглощения света, сужение запрещенной зоны при повышении температуры может привести к уменьшению доли полезно используемых высокоэнергетичных фотонов. Однако влияние этого эффекта в некоторой степени может быть ослаблено при создании мелкозалегающего перехода. [4]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны Д. соединений типа АзВ5 от среднего атомного номера. [5] |
Металлизация связи в ряду аналогов простых тел и соединений вызывает сужение запрещенной зоны. Этот процесс можно представить себе таким образом: ослабление связи электронов происходит внутри ковалентных мостиков, последние как бы размываются, более или менее сильно, в зависимости от атомного номера. Благодаря ослаблению связи энергия активации валентных электронов ( ширина запрещенной зоны) уменьшается, но не становится равной нулю, что произошло бы в случае перехода части электронов в электронный газ. Последний процесс наступает с увеличением атомного веса в таких группах аналогов и вызывает резкий скачок в свойствах. Вещество перестает кристаллизоваться в той структуре, для которой были характерны свойства полупроводников, так как связи уже перестают быть направленными. Следующий элемент ( свинец) еще более типичный металл, чем белое олово. [6]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны Д. соединений типа А3В5 от среднего атомного номера. [7] |
Металлизация связи в ряду аналогов простых тел и соединений вызывает сужение запрещенной зоны. Этот процесс можно представить себе таким образом: ослабление связи электронов происходит внутри ковалентных мостиков, последние как бы размываются, более или менее сильно, в зависимости от атомного номера. Благодаря ослаблению связи энергия активации валентных электронов ( ширина запрещенной зоны) уменьшается, но не становится равной нулю, что произошло бы в случае перехода части электронов в электронный газ. Последний процесс наступает с увеличением атомного веса в таких группах аналогов и вызывает резкий скачок в свойствах. Вещество перестает кристаллизоваться в той структуре, для которой были характерны свойства полупроводников, так как связи уже перестают быть направленными. В группе элементарных полупроводников такой скачок наступает при переходе серого олова в белое. Следующий элемент ( свинец) еще более типичный металл, чем белое олово. [8]
Люминесценция и вынужденное просветление полупроводника так же, как и сужение запрещенной зоны, могут не только обеспечить выполнение условия генерации (25.16), но и привести к сдвигу частоты генерации с ростом накачки. [9]
Кристаллы элементов IV группы являются особенно удобным объектом для изучения часто дискутируемого в литературе вопроса о факторах, определяющих сужение запрещенной зоны и появление металлических свойств по мере возрастания атомного номера. Таким образом, все обсуждение будет относиться к нижней части IV группы периодической системы, в которой, собственно, и происходит переход от полупроводников к полуметаллам. [10]
Таким образом, при рассмотрении механизма генерации тонких пластин, временного и спектрального поведения мод необходимо иметь в виду не только сужение запрещенной зоны в активной области, но и возможность просветления пассивных областей. Какое из этих явлений в том или ином случае играет решающую роль, покажут дальнейшие опыты. Уменьшение Eg легко обнаружить, в частности, по смещению длинноволнового края полосы спонтанного испускания в активной области, а просветление пассивной области можно зафиксировать с помощью дополнительного светового луча. [11]
Такое легирование выполняется для понижения сопротивления этих областей. Происходит сужение запрещенной зоны, и этот эффект увеличивает концентрацию равновесных носителей. [12]
Для количественных расчетов необходимо знать, какое количество носителей заряда преодолевает потенциальный барьер и как это количество зависит от приложенного напряжения. Рассмотрим случай, когда эффекты сужения запрещенной зоны отсутствуют и высота потенциального барьера для дырок и эле ронов одна и та же. [13]
Дело в том, что величина Ln3 ] / э тп зависит от NA через зависимость времени жизни при Оже-рекомбинации от концентрации дырок, а значит, и Мл. Кроме того, при наличии сужения запрещенной зоны величину п нужно заменить на эффективное значение nj n f expX Х ( Дфо / фг), Учитывая перечисленные зависимости, можно показать, что ток / jn в функции NA, уменьшаясь при небольших NA, достигает минимума, а затем начинает возрастать. [14]
В выражении ii ( u) интегрирование производится по всей области перекрытия зон, внутри которой возможны туннельные переходы без изменения энергии. Далее задача распадается на две: нахождение степени сужения запрещенной зоны за счет образования примесной зоны и нахождение уровня ерми в случае перекрытых зон. [15]
Страницы: 1 2