Сужение - запрещенная зона
Cтраница 2
При этом нужно сделать одно уточнение. Эмиттер сильно легирован, поэтому в нем сказываются эффекты сужения запрещенной зоны ( § 1.1.4), а значит, в (1.128) вместо следует подставить эффективную собственную концентрацию п лф. [16]
Рассмотренная классификация несколько идеализирована. На самом деле отсутствие строгой периодичности потенциала электрона, искажение порядка расположения частиц на больших расстояниях, а также неидеальность электронного газа [31] приводят к размыванию границ энергетических полос, к сужению запрещенных зон и даже к их исчезновению. [17]
Для расчета коэффициента передачи тока необходимо определить ток дырок, инжектированных из р-базы в п - эмиттер. Дырки, проникающие в эмиттер дрейфового транзистора, перемещаются в нем не только за счет диффузии, но и под действием электрического поля, обусловленного неоднородным легированием эмиттера, а также эффектом сужения запрещенной зоны в сильнолегированном эмиттере. В состоянии термодинамического равновесия ток электронов эмиттера равен нулю. [18]
 |
Расчетные характеристики солнечных элементов п - р - и п - р - р - типов на основе Si с удельным сопротивлением. [19] |
HI, если механизмы их протекания обусловлены соответственно диффузионным и генерационно-рекомбипационным процессами. Далее, небольшое сужение запрещенной зоны при повышении температуры также должно вызвать увеличение темпового тока насыщения и тем самым свести к минимуму положительный эффект увеличения коэффициента поглощения света в длинноволновой области спектра. [20]
В выражении ii ( u) интегрирование производится по всей области перекрытия зон, внутри которой возможны туннельные переходы без изменения энергии. Далее задача распадается на две: нахождение степени сужения запрещенной зоны за счет образования примесной зоны и нахождение уровня Ферми в случае перекрытых зон. [21]
Электрическое поле для этого не годится, поскольку акситон нейтрален. Тогда нужно воздействовать непосредственно на среду, в которой движется экситон. Деформация, приложенная извне к кристаллу, немного изменяет постоянную решетки и тем самым оказывает влияние на положение электронных энергетических зон. Известно, что в кремнии и германии деформация приводит к сужению запрещенной зоны. [22]
В работе [7] предполагается, что существенное превышение LJKcn над L0 объясняется влиянием биполярного переноса тепла. Однако по мере возрастания процентного содержания теллура с ростом: температуры наблюдается сближение L3f ( OU и L0 как следствие уменьшения влияния вклада дополнительных механизмов переноса тепла по сравнению с переносом носителями тока. Известно, что жидкий теллур - вещество с сильно диссоциирующими структурными цепочками. У этого полуметаллического вещества проводимость растет с ростом температуры из-за прогрессирующей вероятности разрыва цепочек, вследствие чего освобождается значительное количество носителей тока. Судя по характеру температурных зависимостей Ьаксп для Т1Те и Т12Те3 их следует относить к группе диссоциирующих металлизирующихся сплавов. С одной стороны, непрочность соединений ТГГе и Т12Те3, с другой - диссоциация теллура, прогрессирующая по мере роста температуры, приводят к тому, что Z / яксп приближается к L0, что свидетельствует об едином носителе тока и тепла. Расхождение между ЬЭКСп и L0 может объясняться вкладом дополнительных механизмов переноса - молекулярного переноса тепла или лучистого переноса. По мере роста температуры происходит сужение запрещенной зоны, что приводит к интенсивному росту проводимости расплавленного Т12Те, к уменьшению вклада дополнительных механизмов переноса и прежде всего к уменьшению биполярного переноса тепла. Расчет показал, что при уменьшении ширины запрещенной зоны от 0 4 эв при температуре плавления до 0 2 эв при 1000 К суммарная расчетная теплопроводность эл А бп достаточно хорошо описывает опытные данные. [23]
Хотя изложенный выше анализ ( и большинство последующих рассуждений) проведен для простоты с точки зрения ионной кристаллической решетки, он неприменим для большинства огнеупорных соединений. Не установлен окончательно тип связи даже для окислов металлов, являющихся сильно заряженными катионами. В II / VI и III / V структурах адамантина могут быть обнаружены непрерывные ковалентные ст-связи, в то время как в карбидах, нитридах, низших окислах и сульфидах переходных металлов, лан-танидов и актинидов координация вокруг каждого типа атомов свидетельствует о наличии ионных связей, наряду с которыми во многих случаях присутствуют и металлические связи. Возникновение вакансий в таких структурах сопряжено с нарушением связей и изменением гибридизации атомов, непосредственно прилегающих к вакантному узлу. Поскольку атомы во всех рассматриваемых соединениях ( за исключением карбида кремния) дают различное число валентных электронов для создания основы решетки, вакансия в зависимости от ее природы представляет собой область либо с повышенной, либо с пониженной плотностью электронов в зависимости от природы вакансии и в соответствии с виртуальным зарядом на точечных дефектах. Внедрение атома в междоузлие связано с еще более сильной перестройкой связей, чем в случае вакансий, и, по-видимому, в более плотно упакованных решетках вакансии являются предпочтительными с энергетической точки зрения. В общем случае, однако, остаются справедливыми рассуждения, проведенные для конных структур. Как мы увидим в дальнейшем, имеются экспериментальные факты, которые не получили достаточного-теоретического обоснования, но позволяющие считать, что внутренний беспорядок в кристаллах с ковалентно-металлическими связями может быть значительно, выше, чем в ионных кристаллах. При изменении типа связей происходит значительное сужение запрещенной зоны, а во многих соединениях такого рода - перекрытие валентной зоны и зоны проводимости. Как будет показано ниже, такие свойства согласуются с максимальными стехио-метрическими допусками для многих из этих соединений. [24]
Страницы: 1 2