Cтраница 1
Взаимное влияние адсорбированных частиц на полупроводниках подробно рассматривает Ф. Ф. Волькенштейн [159] с точки зрения изменений электронных уровней при адсорбции и образования разных типов связей. Он отмечает возможность взаимодействия в результате отталкивания частиц, находящихся в состояниях одинаковой адсорбционной связи - донорной или акцепторной, и их притяжения в состояниях разных связей. Кроме того, он предполагает дипольное взаимо-действие между частицами, находящимися в состоянии слабой связи, причем это взаимодействие при химической адсорбции может отличаться от дипольного взаимодействия при физической адсорбции по величине и характеру. Для частиц в состоянии слабой связи отмечается также возможность указанного выше типа взаимодействия, предполагаемого Я. [1]
Наличие взаимного влияния адсорбированных частиц ( независимо1 от его характера) вытекает из некоторых опытных данных. [2]
Количественная трактовка взаимного влияния адсорбированных частиц, приводящая к определенным уравнениям равновесия и кинетики адсорбции, дается в ряде работ, некоторые из которых здесь будут упомяну ты. [3]
Представления о взаимном влиянии адсорбированных частиц и индуцированной неоднородности также позволяют дать трактовку наблюдаемым основным закономерностям процессов в реальных адсорбированных слоях. В разных условиях, по-видимому, может иметь место преимущественное проявление тех или других эффектов. [4]
Поскольку предполагается отсутствие какого-либо взаимного влияния адсорбированных частиц, адсорбционное равновесие на данной группе мест должно отвечать закону Лэнгмюра. [5]
С другой стороны возможно появление взаимного влияния адсорбированных частиц и их взаимодействие с поверхностью, что также вызывает отклонения от картины идеальной адсорбции. Изменения поверхности катализаторов в ходе процессов, обусловленные, в частности, воздействием реакционной системы, влияют на количество и качество адсорбирующих мест, исключая выполнение закономерностей идеального адсорбированного слоя. [6]
Аналогичная картина должна наблюдаться и при взаимном влиянии адсорбированных частиц. Действительно, адсорбционная способность, а следовательно, и каталитическая активность каждого места поверхности катализатора в данном случае будут зависеть от заполнения других мест поверхности. Следовательно, адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности при адсорбции каждой последующей порции реагирующего вещества будут различны, что эквивалентно неравенству (V.4) для разных участков поверхности. [7]
Величины а с точки зрения представлений о взаимном влиянии адсорбированных частиц не обязательно должны быть меньше единицы. [8]
Таким образом, изложенные представления предполагают электростатический характер взаимного влияния адсорбированных частиц и дальнодействующее взаимодействие их вдоль поверхности или через решетку адсорбента. Для объяснения закономерностей адсорбции и катализа более существенна трактовка дальнодействующего взаимного влияния, хотя оно может сочетаться с электростатическим взаимодействием. [9]
Рассмотрим кратко выражения для энергии активации реакций при взаимном влиянии адсорбированных частиц. Очевидно, что в этом случае входящие в выражение кажущейся энергии активации величины должны характеризовать всю поверхность катализатора в целом, поскольку все ее места принимаются равноценными. [10]
Влияние электронных факторов на закономерности адсорбции может проявляться, в частности, в специфическом эффекте взаимного влияния адсорбированных частиц, связанных с твердым телом. Природа такого влияния кратко обсуждалась выше. [11]
Таким образом, при адсорбции одного вещества со средней силой представления о кинетике реакций, учитывающие взаимное влияние адсорбированных частиц, приводят к кинетическим уравнениям, аналогичным уравнениям, полученным из теории процессов на неоднородных поверхностях. При этом вид кинетических зависимостей определяется соотношением величин, характеризующих взаимодействие адсорбированных частиц между собой и с активированными комплексами. [12]
Относительно более простым и удобным для анализа является случай, когда процесс происходит на однородной поверхности в отсутствие взаимного влияния адсорбированных частиц. Это соответствует, по терминологии, предложенной М. И. Темкиным [190], картине идеального адсорбированного слоя. [13]
Относительно более простым и удобным для анализа является случай, когда процесс происходит на однородной поверхности в отсутствие взаимного влияния адсорбированных частиц. [14]
Таким образом, как и в кинетике реакций, в рассматриваемых выражениях энергии активации мы видим аналогию закономерностей процессов на неоднородных поверхностях и при взаимном влиянии адсорбированных частиц. [15]