Cтраница 1
Существование ловушки оценивается по всем имеющимся структурным картам отражающих горизонтов. Визуальный анализ зон антиклинальных поднятий, находящихся выше соответствующих уровней ВНК, позволил выделить три антиклинальных поднятия, которые в некотором приближении совпадают пространственно для средних и нижних каменноугольных отложений всех трех нефтеносных комплексов. [1]
Для существования ловушек должны быть определенные условия, характеризуемые самой коллекторской средой, показателями которой являются: пористость, проницаемость и наличие изолирующих слоев. [2]
Имеется некоторое экспериментальное подтверждение существования ловушек. Глубина ловушки предполагается равной приблизительно 0 8 эв. [3]
Поскольку здесь не приводится достаточно доказательств существования ловушки ликвидности, мы не можем с уверенностью говорить о вероятности ее возникновения на практике. [4]
Открытие газовой залежи одновременно сразу же доказывает и существование герметичной ловушки, в которой скопился газ. При разведке же водоносной ловушки для создания в ней подземного хранилища газа вопрос о герметичности подлежит разрешению. [5]
Для германия, кремния и некоторых других полупроводников показано существование поверхностных и объемных ловушек и разграничено их влияние на рекомбинацию и подвижность носителей тока. Дефекты, служащие ловушками носителей тока, играют большую роль во многих физических и химических процессах в твердых телах и в биологических процессах в больших молекулах. К сожалению, понятие ловушка часто не связывают с определенными дефектами. [6]
В то же время наблюдавшаяся температурная зависимость подвижности не позволяет объяснить размытость фронта существованием ловушек, захватывающих дырки [ см. уравнение ( 25) ], так как при этом должен был бы наблюдаться активационный рост подвижности с повышением температуры. [7]
Прогноз мест заложения поисковых скважин основан на совпадении трех необходимых условий наличия месторождений: существования ловушки, коллектора и признаков нефтеносности. [8]
Предположение о быстром вращении хорошо согласуется с результатами изучения радикалов NO2 в матрицах из инертных газов и в облученных кристаллах ( табл. VII.1), и тогда нет необходимости допускать существование ловушек различных типов. [9]
Температурная зависимость фототока, по сообщениям некоторых авторов [117, 35], приводит к предположению о существовании таких ловушек в антрацене; следует отметить, что Розенберг [148] предлагает другое объяснение. Прямое доказательство существования ловушек было получено Коммандером и Шнайдером [85] с помощью метода, являющегося электрической аналогией метода кривых термолюминесцентного затухания. [10]
Кристаллы n - типа с примесью кобальта, так же как и кристаллы, легированные золотом и железом, имеют более высокую фоточувствительность, чем дырочные образцы, и обнаруживают эффект гашения тока. Оба эти наблюдения приводят к выводу о существовании дырочных ловушек и соответствуют модели [2, 3], согласно которой примесные центры с двойными отрицательными зарядами ведут себя в германии как ловушки. [11]
Это значит, что энергия синглетного экситона Es 3 15 эВ достаточна для инжекции как дырки, так и электрона в антрацен, так что, вероятно, в этом случае происходит одновременная инжек-ция обоих видов носителей. Leventhal, диссертация, Нью-Йоркский университет, 1962), что может быть связано с существованием ловушек для электронов на поверхности; эти ловушки могут быть образованы молекулами кислорода или продуктами окисления антрацена ( см. [178], а также разд. [12]
Если существует несколько уровней захвата, то наименее глубокие ловушки будут освобождаться первыми, так что k будет уменьшаться со временем, а не оставаться постоянным. Мы можем заключить отсюда, что если показатель степени в знаменателе уравнения ( 22) меньше двух, то это указывает на существование ловушек разной глубины. [13]
Резкое уменьшение излучения света при малых ( 10 - 10А) инжекцйонных токах свидетельствует о преобладании рекомбинации с захваченными носителями, идущей в основном через безызлучательный канал. С уменьшением плотности тока через кристалл зона W, в которой происходит рекомбинация, сужается, при этом рекомбинация осуществляется в приповерхностной области, где существование тушащих ловушек более вероятно, чем в объеме кристалла. В области больших токов логарифм интенсивности ЭЛ пропорционален логарифму инжекционного тока - по крайней мере в случае омических контактов. Это характерное для органических систем линейное соотношение между величиной тока биполярной инжекции и интенсивностью стационарной ЭЛ наблюдается благодаря малости времени жизни носителей в зоне рекомбинации го сравнению с временем их пролета через кристалл. Как уже отмечалось в разд. [14]
Он применил нелинейный оценочный метод количественного анализа, предполагая при этом, что спрос на деньги стремится к бесконечности, когда ставка процента стремится к минимуму. Он сделал вывод, что минимальная процентная ставка, которая порождает спрос на деньги, стремящийся к бесконечности, почти строго стремится к нулю и этим подвергает сомнению существование ловушки ликвидности при положительном значении ставки процента. [15]