Cтраница 2
При слабой подсветке некоторые носители тока захватываются ловушками и находятся в таком состоянии некоторое время, а затем вырываются назад - в поток носителей, участвующих в проводимости. При сильной внешней подсветке создается достаточно много электронно-дырочных пар, заполняющих ловушки. Таким образом, инжектированные носители не знают о существовании ловушек и разброса при образовании импульса на коллекторе не наблюдается. Этот опыт, следовательно, свидетельствует о существовании уровней прилипания для неосновных носителей. Заметной рекомбинации на этих уровнях не происходит, так как области, ограниченные полученными кривыми, одинаковы. [16]
Второе может быть достигнуто с помощью технического прогресса. Очевидно, что сочетание контроля рождаемости и внедрения современных технологий является в настоящее время самой надежной политикой. Однако следует отметить, что мы не располагаем безусловными практическими свидетельствами существования демографической ловушки. [17]
При приложении к коллектору отрицательного импульса протоны вытягиваются электрическим полем в область поверхности, лежащую над коллектором. Если при отключенном эмиттере через короткий промежуток времени подать следующий отрицательный импульс, то существенного уменьшения тока может не наблюдаться. Если же увеличивать интервал между отрицательными импульсами, то можно вновь обнаружить умножение, вызванное диффузией дырок в медленных состояниях из удаленных областей поверхности к переходу. Этот эксперимент, связанный с эффектом засыпания, подтверждает одновременно существование подвижных ловушек - протонов. [18]
Эти два крайних положения часто доказываются следующими опытами. Если фосфоресцирующая пленка охлаждается жидким воздухом и возбуждается в холодном состоянии, она, по существу, не дает фосфоресцирующего излучения. На практике эта техника применяется для измерения глубины ловушек и доказательства самого факта существования ловушек различной глубины. Если фосфоресцирующий пигмент достаточно нагрет, фосфоресценция полностью исчезает и свет излучается как флуоресценция. В этих условиях термическая энергия электронов достаточно высока для того, чтобы они, попав в ловушки, сразу ускользали из них. [19]
Выбор конструкции, мест заложения скважин и технологии воздействия на пласт зависит от вышеуказанных факторов. Перспективными технологиями воздействия на угленосные пласты являются гидравлический разрыв, применение горизонтальных и многозабойных скважин, а также пневмогидравлич. Все эти методы способствуют увеличению радиуса воздействия скважины на пласт, позволяя вовлечь в разработку удаленные от забоя участки угольного пласта. Сан-Хуан ( США) показывает, что для коммерчески успешной добычи ( дебиты более 8000 м3 / сут) необходимо наличие достаточной природной проницаемости угольного пласта и существование естественных ловушек свободного газа, вскрытие к-рых скважинами позволяет резко увеличить дебит и довести его до коммерчески приемлемых величин. [20]
Предположим, что существуют локальные дефекты, способные захватывать электроны из зоны проводимости и задерживать их длительное время. Такие дефекты можно назвать электронными ловушками и соответствующие им уровни - уровнями прилипания. С уровней прилипания электроны освобождаются тепловым движением и попадают вновь в зону проводимости, откуда и совершают переход с излучением. Появление наряду с простыми переходами типа / - 2 - 5 - 6 переходов с заходом в ловушку 10 объясняет явление послесвечения. Надо сказать, что природа уровней прилипания не во всех случаях выяснена, но описанное здесь явление послесвечения не единственное указание в пользу их существования. С фактами, говорящими в пользу существования ловушек, приходится встречаться при изучении фотосопротивлений и полупроводниковых триодов. [21]