Схема - ключ
Cтраница 1
Схема ключа особенно благоприятна для возникновения неустойчивости, поскольку при запирании прибора, когда часть эмиттера уже закрылась, интегральный ток коллектора падает, а следовательно, напряжение на коллекторе значительно повышается: сопротивление нагрузки в данном случае играет роль обратной связи, способствующей кумуляции мощности в местах коллекторного перехода, противолежащих открытым участкам эмиттера. Эти участки эмиттера могут располагаться в областях, наиболее удаленных от базовых контактов в случае идеальной структуры транзистора или около определенных технологических дефектов в реальных структурах. [1]
Схема ключа, показаная на фиг. [2]
 |
Электронный ключ на МДП-траюисторах с нелинейным резисторам. [3] |
Схема ключа приведена на рис. 6.16, а. Ключевым элементом служит транзистор Т, нагрузкой которого является нелинейный резистор в виде МДП-структуры Тн. Параметры рассматриваемого элемента определяются вольт-амперными характеристиками как ключевого, так и нагрузочного транзистора. [4]
Схема ключа с общим эмиттером или ключа ОЭ ( рис. 3.2, а) применяется чаще других. Отличительная особенность ключа ОЭ, соответствующего типовой схеме рис. 3.1, а, состоит в том, что в нем происходит инвертирование сигнала. [5]
Схема ключа на комплементарных МДП-транзисторах ( дополняющих типов проводимости) приведена на рис. 6.20, я. В этой схеме в качестве ключевых элементов используются два транзистора, один из них Т с n - каналом, а другой Тр с р-кана-лом. Подложка транзистора Т подключается к точке с наименьшим потенциалом, а подложка транзистора Тр - к точке с наивысшим потенциалом. Тем самым исключается отпирание p - n - переходов, изолирующих каналы МДП-структур от их подложек. [6]
Схема ключа на транзисторах с индуцированными каналами р-и n - типа приведена на рис. 3.12. Коммутирующий транзистор Т1 имеет канал р-типа, а нагрузочный транзистор Т2 - канал n - типа. Стоки транзисторов соединены и с них снимается выходное напряжение ыа. Затворы также соединены друг с другом и на них подается входное напряжение иг. В данном случае разделение транзисторов на коммутирующий и нагрузочный условно, так как оба они управляются входным сигналом и, таким образом, оба выполняют функцию коммутации. [7]
Схема ключа, показанная на рис. 4, хотя и содержит больше элементов, предъявляет менее жесткие требования к параметрам полевого транзистора. [8]
 |
Схема идеального ключа.| Вольт-амперная характеристика ключа. [9] |
Схема ключа приведена на ряс. А и Б, с которыми соединен ключ, равно нулю, а в разомкнутом состоянии - бесконечности. [10]
Схема тристабильного ключа ( вырожденного мультиплексора), его таблица истинности и его обозначение приведены на рис. 58, а-в. Тристабильный элемент в отличие от логики с двумя состояниями имеет дополнительное третье состояние с высокоомным сопротивлением, так называемое высокоимпедансное состояние. [11]
В схеме ключа при большом количестве источников целесообразно применять кремниевые триоды во избежание влияния напряжений источников друг на друга. При работе в режиме переключения ключ находится в закрытом состоянии, когда его сопротивление велико, или в режиме насыщения - при относительно малом сопротивлении. При любой полярности входного сигнала Е в запертом состоянии ключа коллекторный переход одного из триодов включен в обратном направлении, а коллекторный переход другого - в прямом, что обеспечивает возможность коммутации напряжений любой полярности. [12]
 |
Схема включения ( а и вольт-амперные характеристики тран. [13] |
В схеме ключа МДП-транзистор соединяется последовательно с нагрузкой. [14]
 |
Транзисторный ключ с диодной фиксацией уровней. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5