Схема - ключ
Cтраница 3
С этой же точки зрения схема ключа рис. 4 - 13, а превосходит и схему обычного транзисторного ключа, так как при одной из полярностей напряжения на его зажимах при ( 7КЛ Е3 последний перестает нормально работать. [31]
 |
Усилитель мощности ( параметры. транзистор типа МПЗ IE, диоды типа Д220, Ri 75Q ом, R2 3 ком, Яз230 ом. [32] |
На рис. 49 а приведена схема четырехдиодного мостового ключа. [33]
Для изменения уровня включения в схему ключа вводят источник напряжения смещения Е, как показано, например, на рис. 2.4, а. [34]
Для изменения уровня включения в схему ключа вводят источник напряжения смещения. Изменяя полярность включения диода, меняют область, где напряжение на выходе повторяет входное напряжение. На рис. 2.7 в качестве примера показана схема параллельного ключа с источником напряжения смещения Е и измененной полярностью включения диода, а также приведена его идеализированная характеристика передачи. При х - Е диод заперт и напряжение на выходе повторяет напряжение на входе, при Ui - Е диод открыт, а напряжение на выходе иг - Е - ид - Е и остается примерно постоянным. [35]
 |
Схема электронного коммутатора на транзисторах. [36] |
Транзисторы Т12 и Tla образуют схему ключа в цепи первого канала для подключения или отключения канала от общей выходной линии. При подаче напряжения на базы транзисторы Г12 и Г13 переходят в состояние насыщения и открывают цепь: Вх. При отсутствии напряжения на базах Т12 и Т13 ( отсутствие импулЬса С / т) сопротивление ключа велико и цепь первого канала отключена от общего выхода. [37]
Среднее значение tBjv определяется в схеме ключа с общим эмиттером ( рис. 1), работающего в нормальной активной области. [38]
Как работает звено коммутации в схемах ключа и ШИР. [39]
 |
Схема ( а и передаточная. [40] |
На рис. 8.13, а приведена схема ключа на биполярном транзисторе. Входная ( управляющая) цепь здесь отделена от выходной ( управляемой) цепи. Ключ мало отличается от усилителя, выполненного по схеме с общим эмиттером. Однако транзистор работает в ключевом режиме, характеризуемом двумя состояниями. Первое состояние определяется точкой А. Режим отсечки реализуется при отрицательных потенциалах базы. Второе состояние определяется точкой А 2 и называется режимом насыщения. Он реализуется при положительных потенциалах базы. I (, UBJR, поскольку сопротивление открытого эмиттерного перехода мало. Из режима отсечки в режим насыщения транзистор переводится воздействием положительного входного напряжения. При этом повышению входного напряжения ( потенциала базы) соответствует понижение выходного напряжения ( потенциала коллектора), и наоборот. В рассмотренном транзисторном ключе уровни выходного напряжения, соответствующие режимам отсечки и насыщения, стабильны и почти не зависят от температуры. [41]
На рис. 2.36, в показана схема ключа, каждая коммутируемая секция которого выполнена на отдельных трансформаторах Tt, и исключение их из набора осуществляется путем шунтирования в каждый полупериод работы инвертора одной из обмоток управления wy транзистором VT. Быстродействие таких ключей ограничено в основном лишь реактивными параметрами трансформатора, а потери на транзисторе VT и диоде VD могут быть значительно снижены за счет уменьшения протекающих по ним токов. [42]
На рис. 3.6, а представлена схема ключа на транзисторе с индуцированным каналом р-типа. Внешне она напоминает схему ключа ОЭ на транзисторе типа р - п - р, рассмотренную в предыдущем параграфе. [43]
На рис. 6.59, б приведена схема ключа на пар; биполярных транзисторов Т, Тг в инверсном режиме. При строго идентичных транзисторах оно равно нулю, Погрешности такого ключа аналогичны погрешностям диодного ключа. [44]
На рис. 5 - 14 показана схема типового ключа на канальном транзисторе. Запирающее отрицательное напряжение t / ynp поступает на затвор триода через диод. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5