Схема - память
Cтраница 1
Схема памяти может быть осуществлена с помощью триггера, имеющего два устойчивых состояния. Триггер выполнен на двух транзисторах Т1 и Т2, работающих в ключевом режиме. При подаче питания на схему и отсутствии входных сигналов один из транзисторов ( например, Т2) находится в закрытом состоянии, а другой ( 77) - в открытом. [1]
Схема памяти ( рис. 6 - 52) представляет собой схему с самоблокировкой. Здесь выходной сигнал Xs образуется за счет действия контакта исполнительного реле V после поступления кратковременного сигнала реле А. Сигнал х снимается в результате действия второго сигнала реле В. [2]
Схема памяти представляет собой диодно-емкост-ную ячейку, собранную на диодах Д2ъ Л - хь конденсаторах С70 и Са. [3]
Схема памяти и коммутации управляющих сигналов выполняется на реле. [4]
Схемы памяти и счетные схемы являются примером реализации сложных функций с помощью элементарных логических операций. Однако в обоих случаях речь идет не о комбинационных схемах, с которыми до сих пор мы имели дело применительно только к элементарным логическим операциям. Ниже мы рассмотрим некоторые более сложные комбинационные схемы, имеющие практическое значение для обработки информации. [6]
Такие схемы памяти использовались редко из-за высокой стоимости дискретных диодов, ограничений, связанных с токами утечки и емкостями диодов, и что они по ряду характеристик уступали другим схемам памяти. [7]
 |
Схема приставки нераспадающейся памяти ПНП. [8] |
Напряжение схемы памяти снимается при исчезновении напряжения питания. [9]
Неисправность схемы памяти вызывает значительное изменение цшриед линии луча в пределах рабочей части экрана. [10]
 |
Схема приставки нераспадающейся памяти ПНП. [11] |
Для осуществления схемы памяти обратная связь подается на входной трансформатор секции при использовании усилителя ВУТ с выходной обмотки ( см. рис. 75), усилителя ВУД - с обмотки Woc ( см. рис. 76, s), усилителя ВУР - с трансформатора питания системы через замыкающий контакт выход - Рис - 77 - Схема пРиставки пс ного реле. [12]
В качестве схем памяти совместно с МПК могут быть использованы также стандартные БИС ОЗУ и ПЗУ, не входящие в данный МПК, но сопрягающиеся с ним конструктивно и по электрическим параметрам. [13]
Преобразователи со схемой памяти имеют ряд преимуществ по сравнению с ранее описанными. При каждом считывании схема с памятью реагирует лишь на приращение исследуемого напряжения за-шаг считывания, благодаря чему амплитудная характеристика схемы обладает высокой линейностью. В моменты прихода строби-рующих импульсов напряжение на конденсаторе оказывается близким к исследуемому, поэтому преобразователь имеет высокое входное сопротивление и мало нагружает исследуемую схему. [14]
В некоторых циклах схема предварительной памяти не будет переполнена, и просчеты в ней не возникнут. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5