Изменение - тип - проводимость
Cтраница 1
Изменение типа проводимости слоев в данном случае легко регулировать. Для этого необходимо прекратить подачу силана с данным легирующим газом, промыть систему чистым водородом и вновь подать силан, содержащий соединение легирующей примеси с противоположным типом проводимости. [1]
Изменение типа проводимости кристаллов при легировании вызывает изменение сил связи в решетке и изменяет величину барьера Пайерлса для движения дислокаций. [2]
Отмечено изменение типа проводимости по мере смещения потенциала в область положительных значений в растворах в которых стали максимально склонны к коррозионному растрескиванию. При изменении температуры растворов смещаются потенциалы максимумов, которые идентифицированы как точки максимальной адсорбируемости сплавов на поверхности металлов. [3]
Закономерности изменения типа проводимости сульфидов, се-ленидов и теллуридов в какой-то мере повторяют закономерности для окислов тех же металлов. Однако есть и отличия. Например, ZnO и ZnS чаще получают с электронной проводимостью, a ZnSe и ZnTe - чаще с дырочной. Для элементарных полупроводников ( Ge, Si, Se, As, Те) и бинарных полупроводников, близких по электронной и кристаллической структуре к элементарным ( например, GaAs, InSb), одинаково легко можно получить и электронные, и дырочные образцы. [4]
Амфотерная природа окиси кальция ( изменение типа проводимости) проявляется в ее поведении в зависимости от парциального давления кислорода. На рис. 80 приводится зависимость электропроводности спеченных образцов СаО от парциального давления кислорода при 600 С. При увеличении парциального давления кислорода выше 10 - 2 мм рт. ст. наблюдается рост электропроводности СаО, что указывает на дырочный тип проводимости. При давлении около 10 - 2 мм рт. ст. кривая логарифма удельной проводимости проходит через минимум, а при дальнейшем понижении давления электропроводность сильно возрастает, что подтверждает электронный механизм проводимости. [5]
 |
Конфигурация точеч. [6] |
При формовке в результате сплавления происходит изменение типа проводимости полупроводника под контактом. Так, если к исходной пластинке германия - типа прижимают иглу из бериллие-вой бронзы, то в результате сплавления бериллий диффундирует в полупроводник и, будучи акцептором в германии, образует резкий р-п переход. Небольшая площадь перехода в диоде и определяет основные отличия точечного диода от плоскостного. [7]
Рут и др. [91] полагают, что изменение типа проводимости при термообработке пленок обусловлено диффузией и дезактивацией внедренных атомов и вакансий у дислокаций и других дефектов решетки. [8]
Очень важным свойством эпитаксиальных слоев является возможность изменения типа проводимости без использования компенсации. Однако с помощью эпитаксии невозможно сформировать переходы в определенных областях пластины, как это делается с помощью диффузии. [9]
Такие образцы, как 112L, отрезанные от кристалла сразу после изменения типа проводимости на электронный, всегда были менее фоточувствительны, чем образцы из кристаллов я-типа, выращенных из расплава, легированного только железом Puron. Для проверки этого предположения кристалл 110 был выращен при определенном соотношении количества железа Puron и NRC, так что он превращался из дырочного в электронный сразу за областью легирования. [10]
Как было показано, совпадение изменения каталитической активности разных окислрв с изменением типа проводимости в большинстве случаев являлось иллюзорным или случайным. Если же один и тот же катализатор модифицировать донорными или акцепторными добавками, изменения каталитической активности, обнаруженные на опыте, оказывались небольшими и не соответствовали изменению электропроводности объема полупроводника. Для некоторых низкотемпературных каталитических реакций при статистическом рассмотрении очень большого числа разных катализаторов преимущество полупроводников с определенным типом проводимости, ( например, п-полупроводни-ков в разложении Н202, / ьполупроводников в разложении N20 и некоторых реакциях окисления) подтвердилось. [11]
В полупроводниках группы PbS возможны значительные отклонения от стехиометрии, ведущие к изменению типа проводимости и концентрации носителей. Избыток атомов свинца приводит к электронной проводимости, а атомов серы, селена идя теллура - к дырочной. [12]
Однако в случае более толстых пленок ( d - 0 3 мкм) для объяснения изменения типа проводимости за счет адсорбции необходимо предположить сильное искривление зоны ( более 20 kQT) Y что, по мнению авторов [189], маловероятно. В этом случае основную роль играют диффузионные процессы: диффузия кислорода по вакансиям теллура или междоузлиям, диффузия вакансий к поверхности и их аннигиляция. [13]
Однако в случае более толстых пленок ( d - 0 3 мкм) для объяснения изменения типа проводимости за счет адсорбции необходимо предположить сильное искривление зоны ( более 20 k0T) r что, по мнению авторов [189], маловероятно. В этом случае основную роль играют диффузионные процессы: диффузия кислорода по вакансиям теллура или междоузлиям, диффузия вакансий к поверхности и их аннигиляция. [14]
Смена знака свидетельствует о критичности концентрации композиции в пределах до 50 - 65 %, а также об изменении типа проводимости с металлического на полупроводниковый. С возрастанием удельного сопротивления до значений 4 Мом / Q ТКС составляет ( 1 0 2) 10 - 4 1 / С. С увеличением температуры ТКС компо-аиции на основе Bi2PdO4 растет благодаря повышению подвижности носителей. [15]
Страницы: 1 2 3