Изменение - тип - проводимость
Cтраница 3
Если она преобладает в металле до очистки, то после очистки будет преобладать в металле другая примесь с большей растворимостью. Это обстоятельство может быть одной из причин изменения типа проводимости полупроводника после очистки. [31]
Электропроводность свежеосажденного бромистого серебра при комнатной температуре может более чем в 104 раз превышать проводимость плавленого бромистого серебра в тех же условиях. В связи с этим нами была исследована возможность изменения типа проводимости с возрастом образца. Определения чисел переноса свежеосажденного бромистого серебра ( результаты будут опубликованы в другой работе) показали, что тип проводимости не меняется и что свежеосажденное бромистое серебро является ка-тионным проводником. [32]
Общей целью формовки является сильный местный нагрев контакта, при котором происходит своеобразное сплавление кончика иглы с полупроводником. Сплавление обеспечивает стабильность и механическую прочность контакта, что и было первоначальной целью формовки. Однако, как выяснилось позднее, при сплавлении происходит также изменение типа проводимости в тонком слое полупроводника, прилегающем к игле. [33]
Такая постановка вопроса может показаться парадоксальной, поскольку каталитические свойства германия и кремния обычно рассматривались в прямой связи с их полупроводниковыми свойствами. Между тем полученный экспериментальный материал показывает, что, хотя германий и кремний действительно оказались очень активными катализаторами ряда окислительно-восстановительных реакций, их каталитическая активность крайне мало чувствительна к изменению типа проводимости и концентрации носителей тока. Имеются и другие экспериментальные данные, которые нельзя объяснить в рамках существующих представлений полупроводникового катализа. Так, вопреки принятой точке зрения, согласно которой в изоэлектронном ряду катализаторов - полупроводников каталитическая активность уменьшается с увеличением ширины запрещенной зоны, удельная каталитическая активность кремния оказалась соизмеримой с активностью германия. Представляется целесообразным искать причину высокой каталитической активности германия и кремния в особенностях химии поверхности этих катализаторов. Экспериментальный материал, накопленный химией кремний -, германий - и оловоорганических соединений, указывает на существенную роль в стабилизации химической связи этих элементов с электронодонор-ными элементами или группами так называемого dn - р - взаимодействия, при котором используются вакантные d - орбитали соответствующего элемента IV - й группы. Сильные доноры электронов могут легко связываться за счет отдачи электронов этим орбиталям даже в том случае, когда s - и р-электроны кремния, германия или олова уже использованы для образования связей. Теоретическое рассмотрение показывает, что прочность dn - рп-взаимодействия, характеризуемая интегралом перекрывания, для случа я, когда d - орби-тали относятся к самой внешней электронной оболочке ( кремний, германий и олово), должна слабо зависеть от главного квантового числа соответствующего атома. Такая слабая зависимость связана с более диффузным характером d - орбиталей последней электронной оболочки по сравнению с р-орбиталью той же оболочки. В настоящее время имеется ряд экспериментальных работ, подтверждающих этот вывод теории. Сходство каталитических свойств германия и кремния и их высокая активность в реакциях соединений, содержащих в своем составе электронодонорные элементы, наводит на мысль об участии в элементарных стадиях катализа вакантных d - орбиталей поверхностных атомов. В таком случае dn - рп-взаимодействие может оказаться дополнительным фактором стабилизации переходного состояния. Например, в случав дегидрирования спиртов на германии таким переходным состоянием может быть поверхностное алкоксипроизводное германия. Известно, что для алкоксипроизводных эффект dn - рп-взаимодействия имеет место. [34]
Связь атомов в кристаллич. Обладают достаточно узкой областью гомогенности, т.е. интервалом составов, в к-ром в зависимости от параметров состояния ( т-ры, давления и др.) преимуществ, тип дефектов может меняться, а это приводит к изменению типа проводимости ( и, р) и зависимости уд. Важнейшие представители этой группы: СаАз, 1пР, 1пАз, 1п8Ь, являющиеся прямозонными полупроводниками, и ОаР - непрямозонный полупроводник. [35]
Для примесных полупроводников возможны два случая. Если образованные дефекты оказывают влияние на концентрацию второстепенных носителей тока, то происходят очень значительные изменения в свойствах твердого тела. Поскольку концентрация второстепенных носителей тока может быть очень низка, даже меньше 1010 г - 1, то возможно, что в противоположность предыдущему случаю эффекты будут значительны; для относительно малых доз радиационной энергии могут наблюдаться изменения типа проводимости образца. [36]
 |
Изменение температур плав - [ IMAGE ] Фазовая диаграмма рубидия ления щелочных элементов с повыше . [37] |
Повышение давления, так же как и температуры, может привести к изменению электронного состояния атомов в кристалле или жидкости, а следовательно, и к фазовым переходам вещества. При высоких давлениях могут разрушаться направленные двухэлектронные связи в ко-валентных кристаллах, переходящих вследствие этого в металлическое состояние. Металлы могут испытывать необычные фазовые превращения. Электроны из свободного состояния могут переходить на дискретные уровни, что сопровождается изменением типа проводимости от металлического к полупроводниковому. В последние годы [230-235] уделяется очень большое внимание экспериментальному изучению влияния высоких давлений на структуру и свойства металлических и неметаллических элементов, полупроводниковых и ионных соединений; построены РГ-диа-граммы для большого числа веществ. [38]
Для примесных полупроводников возможны два случая. Если образованные дефекты оказывают влияние на концентрацию второстепенных носителей тока, то происходят очень значительные изменения в свойствах твердого тела. Действительно, если учесть, что произведение числа электронов проводимости на число дырок постоянно при данной температуре ( пр jV2), то изменение числа второстепенных носителей тока приведет к одновременному изменению числа главных носителей тока. Поскольку концентрация второстепенных носителей тока может быть очень низка, даже меньше 1010 г - 1, то возможно, что в противоположность предыдущему случаю эффекты будут значительны; для относительно малых доз радиационной энергии могут наблюдаться изменения типа проводимости образца. [39]
 |
Траектории электронов. а, б-в однородном постоянном. [40] |
Первый состоит в измерении поглощения эл. Второй способ использует то обстоятельство, что поглощение излучения приводит к возрастанию энергии носителей. Это, в свою очередь, приводит к изменению проводимости а полупроводника на пост. Этот способ имеет то преимущество, что детектором является сам образец. Кроме того, обычно этот способ оказывается более чувствительным, чем измерение поглощения. Однако в тех редких случаях, когда в пределах резонансной линии возникает смена механизма рассеяния ( а), смена механизма рекомбинации носителей ( 6) или изменение типа проводимости ( в), то кривая Да ( со) или Дт ( Я) в случаях ( а) и ( б) становится двугорбой, а в случае ( в) ф-ция Дст ( Н) напоминает закон дисперсии показателя преломления. [41]
 |
Зависимость подвижности элек тронов от состава сплавов в системах. [42] |
Поэтому тип проводимости растворов вблизи арсенида индия обусловлен избытком определенного компонента в нем. Высокая и слабо зависящая от состава концентрация носителей заряда, как следует из работы [3] и наших экспериментов, определяется техникой приготовления раствора, а не предельной растворимостью атомов соответствующего компонента в нем. Элементы, входящие в состав раствора, имеют резко отличные коэффициенты сегрегации, диффузии и давления паров при температуре кристаллизации, что препятствует попарному внедрению их в расплав в виде нейтральных образований. По-видимому, всегда имеется преимущественный уход элемента второй или шестой группы в газообразную фазу, а оставшийся элемент обусловливает высокую концентрацию носителей заряда и тип проводимости раствора. Такими элементами для систем 1 - 5 являются кадмий и цинк, для системы б - теллур. Это подтверждается тем, что в системе 3 в зависимости от технологии приготовления можно получить кристаллы не только п -, но и р-типа. Изменение типа проводимости с электронного на дырочный наблюдалось нами в системе 5 при получении кристаллов под избыточным давлением паров цинка. [43]
Страницы: 1 2 3