Кремниевый диск
Cтраница 1
 |
Неуправляемый кремниевый вентиль - диод. [1] |
Кремниевый диск с р - переходом впаивается между молибденовыми пластинками ( рис. 3 а), обладающими примерно таким же коэффициентом линейного расширения, как и кремний, и хорошей теплопроводностью. Электрод, присоединяемый к слою полупроводника с электропроводностью р-типа, является анодом А, а электрод, присоединяемый к слою / типа, - катодом К. [2]
 |
Прохождение тока че рез р-п переход полупроводникового диода. [3] |
Кремниевый диск с р-п переходом впаивается между молибденовыми пластинками ( рис. 2, а), обладающими примерно таким же коэффициентом линейного расширения, как и кремний, и хорошей теплопроводностью. [4]
Спаивают кремниевый диск с вольфрамовыми дисками с помощью оловянистых припоев, применяя бескислотные флюсы. [5]
При сплавлении в кремниевом диске образуются две высоколегированные зоны: нижняя с проводимостью n - типа и верхняя с проводимостью р-типа. [6]
 |
Управляемый кремниевый вентиль - тиристор. [7] |
Основным элементом тиристоров является кремниевый диск с электронным типом электропроводности, в котором специальными технологическими методами создается четырехслоиная полупроводниковая структура типа р-п-р-п. [8]
Именно этим обстоятельством обусловлено появление кремниевых дисков, представляющих собой устройство, подключенное к шине ЭВМ и имеющее внутреннюю оперативную память большого объема ( 512 кбайт-1 Мбайт), в которую предварительно считывается информация с гибкого магнитного диска. При обращении программы к вводу-выводу осуществляется передача данных между устройством, содержащим образ памяти диска, и оперативной памятью. В таких устройствах средняя скорость передачи данных достигает 200 - 400 кбайт / с. Недостатком кремниевых дисков является относительно высокая стоимость и плохое использование памяти устройства, в которую записываются как используемые, так и неиспользуемые файлы Диска. Кроме того, такой метод ускорения обменом данными непригоден для дисков, имеющих большую емкость памяти. [9]
 |
Схематическое изображение изготовления кюветы из монокристалла. [10] |
Во время спаивания на поверхности кремниевого диска образуется ( в основном вблизи стенок трубки) окисная пленка. Она имеет радужную окраску. Удалить окисную пленку можно повторной полировкой, но только с внешней стороны, предварительно отрезав часть трубки. [11]
 |
Контакт между золотой проволочкой и контактной площадкой из алюминия на кристалле ИС. [12] |
Первой операцией цикла 2 является разделение кремниевого диска на отдельные кристаллы. Затем каждый кристалл подвергается индивидуальной обработке. [13]
Совокупность процессов технологической обработки, которой подвергается кремниевый диск при формировании на нем микросхем ( включая их проверку), называется, как мы уже говорили выше, циклом 1 полупроводниковой технологии. Слово цикл в некоторой степени способно ввести в заблуждение, ибо речь здесь идет не о циклически повторяющемся процессе, а о последовательном процессе, направленном на достижение определенной цели - формировании ряда одинаковых ИС на кремниевом диске. Циклу 1 предшествуют операции изготовления кремниевых дисков, сырьем для которых служит кварц, и фотошаблонов; последние делают с учетом функциональных требований, предъявляемых к ИС. Весь объем проектных работ-от составления общего описания функции ИС ( за которым следует построение ее логической схемы и разработка на этой основе принципиальной электрической схемы с указанием отдельных элементов) до выполнения компоновочного чертежа, детализированного вплоть до структур элементов - называется разработкой топологии ИС. Все работы, которые осуществляются после завершения цикла 1 и направлены на превращение изготовленных ИС в готовые к продаже изделия, относятся к циклу 2 полупроводниковой технологии. Цикл 2 начинается с резки ( скрайбирования) полупроводникового диска на отдельные кристаллы и завершается функциональной проверкой готовой ИС. В табл. 10 приведены все этапы процесса изготовления изделий микроэлектроники. [14]
Страницы: 1 2 3 4