Кремниевый диск

Cтраница 3

Если со временем внутреннее сопротивление диода увеличивается, это свидетельствует о возникновении расслоения кремниевых дисков его или об ухудшении состояния обжимного контакта тросиков. В любом случае увеличение RB означает интенсивное старение диода. [31]

Слой с электропроводностью типа р здесь создают путем сплавления кремниевого диска с алюминием, а слой с электропроводностью типа п - сплавлением кремниевого диска с сурьмой. [32]

Основную роль в сильноточной технике играют два типа кремниевых полупроводниковых вентилей - неуправляемые и управляемые - Как те, так и другие в своей основе имеют тонкий кремниевый диск размером в 15 - 20-копеечную монету и толщиной 0 3 - 0 4 мм. Специальной обработкой ( введением соответствующих примесей) в диске создаются слои с различным характером проводимости. Между этими слоями образуются так называемые электронно-дырочные переходы. В обычном неуправляемом вентиле таких слоев два и, следовательно, один переход между ними. [33]

На рис. 1 показан разрез силового кремниевого вентиля. Кремниевый диск / с р-п переходом впаивается между молибденовыми пластинками 2 - 3, обладающими примерно таким же коэффициентом линейного расширения, как германий или кремний, и хорошей теплопроводностью. Нижняя пластинка припаивается ко дну массивного. [34]

Конструкция силового диода. [35]

Основным рабочим элементом диода ( неуправляемого полупроводникового вентиля) служит вырезанный из монокристалла кремния тонкий диск, где формируется р-п-переход. Сам кремниевый диск припаивается к одному или двум термокомпенсаторам, образуя тем самым конструкцию вентильного элемента, которая в свою очередь пайкой или нажимным контактом соединяется с корпусом и выводами прибора. [36]

Структура существенно сужена область объемного за-р-я-перехода диода ряда. Это сужение вызывается рядом фак-с контролируемым ла - торов ( например, структурными нарушения-винообразованием. ми различного рода загрязнениями поверх-7 т л. аая б. асть ности и т. п. и может быть весьма значи. [37]

Вплавление алюминия производят в вакууме или в атмосфере очищенного водорода при температурах 650 - 800 С. Диаметр кремниевого диска определяют, исходя из плотности прямого тока в переходе 10е а / м2, а толщину выбирают равной 0 4 - 0 6 мм. [38]

Кремниевые силовые диоды и тиристоры ввиду малого объема, небольшой теплоемкости вентильного элемента и высокой плотности тока р-п перехода обладают повышенной чувствительностью к токовым перегрузкам. Если постоянная времени нагрева обмоток трансформаторов или электродвигателей равна десяткам минут, то для кремниевого диска силового вентиля она составляет сотые доли секунды. [39]

Полупроводниковые диоды являются элементом преобразователя, наиболее чувствительным к перегрузкам. Это объясняется тем, что сама масса активного тела диода, где сформирован р - - переход, очень мала ( толщина кремниевого диска около 300 мкм), и его температура в случае протекания тока перегрузки быстро достигает критической, при которой исчезает вентильное действие, причем при резком возрастании тока температура области р-п-перехода может быть существенно выше температуры остальной массы тела диода. Поэтому в технических условиях на диоды задаются допустимые перегрузка и ее длительность - перегрузочная способность. [40]

При диффузионном методе получения р-п переходов кремниевую пластинку ( диск) с электронной проводимостью помещают в раствор азотнокислого алюминия и борной кислоты в спирте. Затем пластины сушат и помещают в открытую печь, где при температуре около 1 300 С в течение 8 - 10 ч происходит процесс диффузии алюминия и бора в кремниевый диск, чем создается слой кремния с проводимостью дырочного типа. После окончания диффузии и остывания диска один из / 7-слоев удаляется шлифовкой. По обеим сторонам электронно-дырочного перехода, полученного тем или иным способом в полупроводниковой лластине, будет разная концентрация электронов и дырок, что обусловливает его одностороннюю проводимость. [41]

Совокупность процессов технологической обработки, которой подвергается кремниевый диск при формировании на нем микросхем ( включая их проверку), называется, как мы уже говорили выше, циклом 1 полупроводниковой технологии. Слово цикл в некоторой степени способно ввести в заблуждение, ибо речь здесь идет не о циклически повторяющемся процессе, а о последовательном процессе, направленном на достижение определенной цели - формировании ряда одинаковых ИС на кремниевом диске. Циклу 1 предшествуют операции изготовления кремниевых дисков, сырьем для которых служит кварц, и фотошаблонов; последние делают с учетом функциональных требований, предъявляемых к ИС. Весь объем проектных работ-от составления общего описания функции ИС ( за которым следует построение ее логической схемы и разработка на этой основе принципиальной электрической схемы с указанием отдельных элементов) до выполнения компоновочного чертежа, детализированного вплоть до структур элементов - называется разработкой топологии ИС. Все работы, которые осуществляются после завершения цикла 1 и направлены на превращение изготовленных ИС в готовые к продаже изделия, относятся к циклу 2 полупроводниковой технологии. Цикл 2 начинается с резки ( скрайбирования) полупроводникового диска на отдельные кристаллы и завершается функциональной проверкой готовой ИС. В табл. 10 приведены все этапы процесса изготовления изделий микроэлектроники. [42]

Сборку элементов производят в специальной графитовой кассете. На дно кассеты закладывают посеребренный вольфрамовый диск, затем диск из сплава серебра, свинца и сурьмы. Далее закладывают кремниевый диск и устанавливают ограничивающую графитовую втулку, в которую вставляют диски из сплава алюминия и кремния, а на него помещают никелированный с одной стороны вольфрамовый диск. [43]

Основу вентиля составляет электронно-дырочный переход /, обладающий униполярной проводимостью. Полупроводниковая пластина ( p - n - переход) очень хрупка и не может быть непосредственно припаяна к основанию вследствие большой разницы в температурных коэффициентах линейного расширения с медью, из которой обычно изготавливается основание. Чтобы защитить хрупкий р-п-переход от тепловых и механических напряжений, кремниевый диск впаивается между молибденовыми или вольфрамовыми пластинами 2 и S, обладающими примерно таким же коэффициентом линейного расширения как германий или кремний и хорошей теплопроводностью. Нижняя пластина припаивается к медному основанию - кристаллодержателю 5, который служит в качестве одного из выводов и обеспечивает отвод тепла от перехода в окружающую среду. Кристал-лодержатель оканчивается резьбовым хвостовиком, который позволяет в случае необходимости присоединить к вентилю воздушный или водяной охладитель. Стальной корпус 4 со стеклянным изолятором 10 и внутренней втулкой 7 при помощи завальцовки герметически изолируют выпрямительный элемент от воздействия окружающей среды. Гибкое соединение верхнего электрода к выводу облегчает сборку и не создает механических усилий на переход. [45]

Страницы: 1 2 3 4