Изменение - обратный ток
Cтраница 1
 |
Изменение тепловых токов / КБО ( а и коэффициентов передачи ( б при изменении температуры. [1] |
Изменение обратных токов и коэффициентов усиления приводит к смещению входных и выходных характеристик транзистора, что может нарушить нормальную работу транзистора или схемы на его основе. [2]
Изменение обратного тока р-л-псрехода и других параметров приборов приводит к изменению электрических характеристик электронных схем, содержащих полупроводниковые приборы. Дрейф обратного тока зависит от состоянии поверхности и окружающей газовой среды. В вакууме порядка 10 - - 6 - 10 - 7 Па ни на германии, ни на кремнии дрейф не наблюдается независимо от величины обратного тока. При изменении поверхностного заряда приложенным внешним полем в случае образования канала обратный ток возрастает, но дрейф его не наблюдается. Только при очень больших значениях напряжения и нагреве полупроводника наблюдается дрейф тока, причем ток быстро нарастает, что заканчивается тепловым пробоем. [3]
 |
Схема стабилизатора напрял ения. [4] |
При изменении обратного тока от 0 до 25 мА напряжение стабилитрона изменяется не более чем на 0 1 - 0 15 В. Поэтому стабилитроны с успехом используются в схемах стабилизаторов источников стабилизированного ( опорного) напряжения. [5]
 |
Схема стабилизатора на один номинал стабилизированного напряжения. [6] |
При изменении обратного тока от 0 до 25 мА величина напряжения стабилитронов изменяется не больше чем на 0 1 - 0 15 В. Поэтому стабилитроны с успехом заменяют в схемах стабилизаторов источники стабилизированного ( опорного) напряжения. [7]
С чем связано изменение обратных токов германиевых и кремниевых приборов с изменением напряжения при постоянной температуре. [8]
В широком диапазоне изменения обратного тока дина мическое сопротивление остается практически постоянным, что указывает на линейность вольтамперной характеристики в зоне пробоя. [9]
Светонепроницаемость проверяют по изменению обратного тока приборов в режиме, указанном в ЧТУ. Обратный ток замеряют сначала при затемненном приборе, а затем при освещении его электролампой мощностью 100 вт, расположенной на расстоянии 200 - 300 мм от прибора. При испытании между прибором и лампой устанавливают плоский прозрачный сосуд с водой для защиты прибора от теплового эффекта. [10]
 |
Схема точечного много меньше г, ток как при пря-диода. мом, так и при обратном смещениях. [11] |
На рис. 8.24 показано изменение обратного тока р - п-перехода с ростом обратного напряжения. При определенном значении V05 проб наблюдается резкое увеличение обратного тока. Это явление получило название пробоя перехода, а напряжение Vnl) 0e при котором происходит пробой, называют напряжением пробоя. [12]
Множитель а, учитывающий изменение обратного тока коллектора при изменении тока эмиттера, обычно примерно равен единице. Коэффициент лавинного размножения М учитывает влияние этого процесса на общий ток коллектора. [13]
Множитель а, учитывающий изменение обратного тока коллектора при изменении тока эмиттера обычно примерно равен единице. Коэффициент лавинного умножения М учитывает влияние этого процесса на общий ток коллектора. [14]
Множитель а, учитывающий изменение обратного тока коллектора при изменении тока эмиттера, обычно примерно равен единице. Коэффициент лавинного умножения М учитывает влияние этого процесса на общий ток коллектора. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5