Изменение - обратный ток
Cтраница 4
Показанная схема формирования фронта импульса обратного напряжения позволяет на некоторых типах диодов с накоплением заряда получить длительность перепада между прямым током и установившимся значением обратного напряжения порядка 0 2 - 0 3 нсек. Переходный процесс изменения обратного тока диода ИД измеряется стробоскопическим осциллографом СО, входное сопротивление которого должно быть согласовано с волновым сопротивлением кабеля, соединяющего ИД со входом СО. [46]
Принятая здесь схема замещения сосставлена в предположении, что падение дифференциального сопротивления диода, наблюдающееся при повышении температуры среды, обусловлено исключительно разогревом диода протекающим через него током. Хотя в действительности механизм изменения обратного тока более сложен, такое допущение дает вполне удовлетворительный результат. [47]
В процессе циклирования меняется не только - тепловое сопротивление, но и еще ряд параметров прибора. На рис. 3 - 28 показано изменение обратного тока для диодов ВК. Увеличение обратного тока в начале циклирования можно отмести за счет частичного разрушения защитного покрытия фаскл кремниевой шайбы, размягчения припоев, выделения флюса. Резкое возрастание обратного тока перед выходом вентиля из строя объясняется значительным перегревом структуры. [48]
 |
Осциллограмма тока. [49] |
Как видно из рисунка, закон изменения обратного тока отличается от идеального ( линейное увеличение вначале, а затем экспоненциальное уменьшение), что объясняется взаимным влиянием тиристоров при их параллельном включении в плече. [50]
Характер влияния поверхностных явлений зависит от знака и величины поверхностного заряда. Рассмотрим три причины, приводящие к изменению обратных токов из-за поверхностных явлений. [51]
 |
Принцип устройства мезадиода.| Вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона при обратном токе. [52] |
Как было показано, вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов в области электрического пробоя имеет участок, который может быть использован для стабилизации напряжения. Такой участок у кремниевых плоскостных диодов соответствует изменениям обратного тока в широких пределах. В настоящее время выпускаются исключительно кремниевые стабилитроны многих типов. Их также называют опорными диодами, так как получаемое от них стабильное напряжение в ряде случаев используется в качестве эталонного. На рис. 3 - 19 дана типичная вольт-амперная характеристика стабилитрона при обратном токе, показывающая, что в режиме стабилизации напряжение меняется мало. [53]
 |
Распределения величин. [54] |
Ввиду сложности структуры реальной поверхности полупроводника проследить за динамикой образования зарядов, найти их природу, количество, локализацию - задача весьма трудная. Поэтому при анализе результатов экспериментов пользуются некоторыми приближенными моделями изменения обратного тока во времени и зависимости скорости этого изменения от температуры и приложенного к переходу напряжения. [55]
От схемы с последовательной связью ( рис. 1.68 а) она отличается только способом питания базы: ток в цепи базы создается при помощи делителя напряжения R Rz. Увеличение начального тока / Коэ, вы -, званное изменением обратного тока / Кбо, приводит к увеличений падения напряжения на резисторе Ra. Разность потенциалов между эмиттером и базой уменьшается, что t приводит к уменьшению тока базы / б и составляющей / 60 коллекторного тока; это и компенсирует изменение тока / К0э, причем в этой схеме суммарное изменение коллекторного тока / к оказывается меньше, чем изменение начального тока коллектора / коэ. [56]
Нормально они работают при обратном напряжении. Примерная их вольтамперная характеристика приведена на рис. 6.11. В довольно широких пределах изменений обратного тока обратное напряжение остается почти постоянным. Такой режим предшествует явлению необратимого теплового пробоя и представляет собой обратимый электрический пробой, при котором наблюдается лавинообразное увеличение числа неосновных носителей, создающих обратный ток. Схемы включения кремниевых стабилитронов аналогичны схемам использования ионных стабилитронов. [57]
Увеличение обратного тока / ко с ростом температуры ведет к возрастанию величины постоянной составляющей тока коллектора / к. Во всех других схемах, приведенных на рис. 1 - 3, изменение постоянной составляющей тока коллектора может значительно превышать изменение обратного тока б / ко, а это может оказать весьма существенное влияние на работу транзисторного каскада. [58]
В других схемах, приведенных на рис. 1, изменение постоянной составляющей тока коллектора может в значительное число раз превышать изменение обратного тока / к. [59]
Как следует из формулы (5.16), при Е 1 / 6 и E UKK основным источником температурной нестабильности длительности импульса является изменение обратного тока / К02 в заданном диапазоне температур. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5